bachiller

Memorias
Terminología:
Memoria aleatoria (RAM) memoria en la cual la ubicación de una palabra de memoria no tiene efecto sobre el tiempo que tardan las operaciones de lectura o escritura.
Memoria de acceso secuencial (SAM) un tipo de memoria en la cual el tiempo de acceso no es contante si no q varía dependiendo de la ubicación de la dirección
Memoria de lectura/escritura (RWM) cualquiermemoria que se puede leer o en la que se puede escribir con la misma facilidad
Memoria de solo lectura (ROM) una amplia variedad de memorias semiconductoras diseñadas para aplicaciones en la proporción en las que la proporción de operaciones de lectura de en comparación con la escritura es muy alta
Memoria estática: los dispositivos de memoria semiconductores en lo cual los datos se almacenan demanera permanente siempre y cuando aplique energía a menos que se reescriban de manera los datos en la memoria en forma periódica
Memoria dinámica memoria en los cuales no se almacenan en forma permanente aun cuando se le aplique energía a menos q se reescriban en forma periódica
Memoria principal almacena instrucciones y datos con lo que el CPU está trabajando en un momento dado (memoria detrabajo)
Memoria auxiliar: también se le conoce como almacenamiento masivo ya que guarda cantidades masivas de información externa a la memoria principal. Es mas lenta en velocidad que la memoria principal y es no volátil
OPERACIÓN GENERAL DE LA MEMORIA:
Seleccionar la dirección
Seleccionar una operación de lectura a realizar
Suministrar los datos de entrada
Retener los datos de entradaHabilitar o deshabilitar la memoria de manera que responda o no a las entradas de dirección y a la línea de selección de lectura

MEMORIAS DE UNA SOLO LECTURA (ROM)
Diseñada para retener datos que sean permanentes o que no se cambien con frecuencia. En operaciones normales no se pueden escribir datos en la ROM pero si se pueden leer.
Las ROMs se utilizan para almacenar datos e información que vaa cambiar durante la operación normal de un sistema
TIPOS DE ROMS
ROM programada por mascara MROM
Almacena su información al momento en que se fabrica el circuito integrado. Esta información se almacena ya sea mediante la conexión o la desconexión de la fuente transistores este proceso utiliza una mascara para depositar metales en le silicio donde se determina las conexiones esto se realizaa la hora de su construcción donde también se debe de conocer la cantidad de bits necesitados
SON MUY COSTOSAS
ROM programable PROMS
Se utilizan para aplicaciones de menor de volumen, son programables por el usuario no se programan en su fabricación como la anterior si no que el usuario la programa según sus necesidades pero la PROM tiene ya programada no puede modificarse es decir si laprogramación tiene fallas se debe de desechar la PROM y comprar otra. La estructura de la PROM es similar a la de MROM funciona con la distribución de bits en los transistores y le depositarían el silicio
ROM programable y borrable EPROM
Puede programarse por el usuario y también puede borrarse y programarse casi todas las veces que se requiere. Una vez programada una memoria no volátil quealmacenara sus datos de forma indefinida. El proceso de almacenamiento de una eprom es un transistor MOS con una compuerta de silicio que no tiene conexión eléctrica pero esta cerca de un electrodo. Las eprom tiene la posibilidad de ser borrados por rayos de luz UV.
PROM programable y borrable eléctricamente EEPROM
Ambas EEPROM y EPROM son dispositivos electrónicos destinados a ser instalados en lasplacas de circuitos, que puede almacenar información ¿sólo se puede leer desde el dispositivo de suministro de instrucciones del equipo local, sin necesidad de una computadora completa. Además, ambos dispositivos se pueden borrar y reprogramar Llame completamente con la información que muchos nuevos tiempos. La mayor diferencia entre la EEPROM y EPROM es en la información de forma se almacena y se...