Base comun

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE TIJUANA
INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA

Investigación
Configuracion base comun

Trabajo presentado al
Profesor Huerta López Enrique
De la materia
Electrónica 1

PRESENTADA POR
Valenzuela Jauregui Erick
No. Control: 08211153

TIJUANA, BAJA CALIFORNIA, MÉXICO.
12 de marzo del 2012

Configuracion base común.

La señal se aplica al emisor del transistor y seextrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia sólo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de lafuente de señal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor común, nos da la ganancia aproximada siguiente: .
La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.

Curvas características 
Un transistor en régimen estático se encuentra, solamente, bajo la acción de las tensiones continuas que se le aplicanpara polarizarle. Una forma de resumir este funcionamiento es utilizar las curvas características del transistor, que relacionan las tensiones y las corrientes. Las tensiones y corrientes que se utilizan dependen de la configuración deltransistor, pero independientemente de ésta, se dis-tinguen dos tipos de curvas: la característica de entrada y la característica de salida. 
a) Características deentrada 
La característica de entrada relaciona dos magnitudes de entrada con una de salida. En el caso de la configuración en emisor común se tiene la corriente de base en función de la tensión base-emisor, para distintos valores de tensión colector- emisor. La corriente de base y la tensión base-emisor son variables de entrada, mientras que la tensión colector-emisor es una magnitud de salida. Si se tiene una configuración en base común, su característica de entrada relacionará la corriente del emisor con la tensión emisor-base, utilizando la tensión colector-base como parámetro. La corriente de emisor y la tensión emisor-base con las magnitudes de entrada. 
La figura muestra las diferentes características de entrada de dos transistores NPN de germanio y silicio respectivamente enfunción del voltaje base-emisor para dos valores del voltaje colector. emi-sor. 

 
Características típicas de transistores. 

b) Características de salida 
La característica de salida tiene dos de las tres magnitudes pertenecientes al circuito de salida. Las curvas que relacionan la corriente de colector, la de base y la tensión emisor-colector son caracterís-ticas de salida en configuraciónemisor-común, mientras que las que relacionan la corriente de emi-sor, la de colector y la tensión colector-base son las curvas correspondientes a una configuración en base común. 
 
Familia de curvas de corriente colector. 

Zonas de funcionamiento 
Un transistor bipolar puede funcionar de tres formas diferentes dependiendo de la polarización que tengan las dos uniones, base-emisor ybase-colector. Estas zonas se pueden observar en la familia de curvas características de salida de untransistor como se muestra en la figura. 
Zona de corte. Para un transistor de silicio, Vbe es inferior a 0,6 V (para germanio 0,2 V), ambas uniones están polarizadas en sentido inverso y las intensidades en los terminales se pueden conside-rar despreciables. En otras palabras, la tensión de base no es losuficientemente alta para que circule corriente por la unión base emisor, por lo que la corriente de colector es igualmente despreciable. 
Zona activa. La unión base-emisor está polarizada en sentido directo (Vbe > 0,6 V) y la unión co-lectora lo está en sentido inverso, la corriente inversa que circula en la unión de colector es beta ve-ces la corriente que circula en sentido directo base...