BJT de potencia

Los transistores de potencia
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como características específicas al funcionamientocomo un interruptor, también las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.se diseñan para que estos estén completamente saturados (activo) oen corte (desactivado)
Los tipos de transistores utilizados en los circuitos electrónicos de potencia incluyen a los transistores de unión bipolar (BJT), y los unipolares que son los MOSFET ydispositivos híbridos como el transistor de unión bipolar de puerta aislada (IGBT)

Transistor Bipolar (BJT)
Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en
Sentidoopuesto.(Emisor, Base y Colector). En función de la disposición de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP. La unión correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa y la Base-Colector eninversa. Así, por la unión Base-Colector circula una corriente Inversa.

Tipo NPN
Está formado por una capa fina tipo P entre dos capas N, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio osilicio, presentando las tres zonas (Emisor, Base, Colector).
• El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base.
• En la base se gobiernan dichos portadores.
• En el colector se recogenlos portadores que no puede acaparar la base.
La región de emisor tiene mayor dopaje que la base. Al polarizar la unión Base-Emisor en directa, y la Base-Colector en inversa, los electroneslibres que proceden del emisor llegan a la
Base, con mucho menor número de huecos, por lo que son atraídos por el colector (con alta concentración de impurezas). El NPN tiene una mejor respuesta aalta frecuencia
es el preferido y por tanto el más utilizado


Tipo PNP

Está formado también por un cristal semiconductor y por una capa fina tipo N
Entre dos capas P, con tres regiones...