BJT en señal pequeña

Modelo de señal pequeña del BJT para la configuración en Emisor Común

Modelo del BJT en parámetros “h” (configuración en Emisor Común)

Significado de los parametros “h”

vbe = hieib + hrevce
ic = hfeib + hoevce
Estos parámetros “h” reciben su nombre a partir de las siguientes condiciones
A).- Corto circuito en la salida ( Vce = 0 ).

∴

vbe = (hie )ib

ic = (h fe )ib
por lo que:

hie =

vbe
ibVCEQ

vce =0

h fe =

ic
ib VCEQ

vce = 0

hie = Impedancia de entrada con la salida en corto.
i = input.
e = emisor común.__________________________________________________________________________________________
Ing. José Manuel Glez. Rojas
Notas de la Clase de Electrónica II

31

h fe

= Ganancia de corriente en sentido directo con la salida en corto.
f = forward - directo
e =emisor comúnB).- Circuito abierto en la entrada ( ib = 0 )

∴

vbe = hre (vce )
ic = hoe (vce )

por lo que:

v
hre = be
vce

hoe =
I BQ
ib =0

ic
vce

I BQ
ib =0

hre = Ganancia de voltaje en sentido inverso conla entrada abierta.
r = reverse
e = emisor común

hoe = Admitancia de salida con la salida abierta.
o = output
e = emisor común.
Determinación de los parámetros “h”
De las curvas de entrada pueden serdeterminados gráficamente los parámetros hie y hre

ΔVCE = 19V

ib

ib

VCE = 1V

VCE = 20V

ΔiB

vBE
ΔVBE

hie =

vbe ΔvBE
=
ib
Δib

ΔVBE =0

=

∂vBE
∂iB

VCEQ__________________________________________________________________________________________
Ing. José Manuel Glez. Rojas
Notas de la Clase de Electrónica II

32

Puede observarse que hie corresponde a la resistencia dinámica del diodoB-E

hie =

VT
V
V
= T = h fe T
I CQ I CQ
I CQ
h fe
ΔVCE

ib
I BQ

vBE

ΔVBE

Puede observarse que hre corresponde un valor muy pequeño, su valor se encuentra en el rango de
1x10-4 a 3x10-4, y paraefectos prácticos puede considerarse cero

hre =

vbe ΔvBE
=
vce ΔvCE

ΔVBE =0
I CQ

=

∂vBE
∂vCE

Los parámetros hfe y hoe se obtiene a partir de las curvas de salida y como se indican en las mismas...