bjt transistor

Fascículo 4
4. El Transistor Bipolar de Unión (BJT)
4.1 Introducción al BJT y principios de construcción.
4.2 Configuración de base común.
4.3 Configuración de emisor común.
4.4 Configuración de colector común.
4.4 Límites de operación del transistor.
4.5 Hoja de especificaciones del transistor.
4.6 Nexo:
4.7 Trabajo colaborativo
4.8 Actividad complementaria.

Introducción.Hace 50 años, el 23 de diciembre de 1947, científicos de los Laboratorios Bell demostraron que un dispositivo construido con base en materiales sólidos, podía comportarse de forma prácticamente idéntica a las válvulas de vacío, pero sin sus inconvenientes. Aunque desde un principio se supuso que el invento tendría mucha importancia en el futuro, sus inventores jamás imaginaron la revolución queestaba a punto de comenzar en la tecnología electrónica, con repercusiones en todas las áreas del quehacer humano. Por su descubrimiento, William Shockley, John Bardeen y Walter Brattain fueron acreedores al Premio Nobel de Física en 1956.

EVALUACIÓN DE PRECONCEPTOS


1. Que es un transistor?



2. Cuantos pines tiene un transistor, como se llaman y como se identifican?


3. Quéfunción puede desempeñar un transistor en un circuito?.




4. A que se debe el nombre del transistor?







Logros propuestos

Conocer los conceptos básicos de construcción del transistor.
Identificar las diferentes configuraciones de circuitos transistorizados.
Identificar los límites de operación del transistor según datos suministrados por el fabricante.



4. El TransistorBipolar de Unión (BJT)
4.1 Introducción al BJT y principios de construcción.

Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vacío fue sin duda el dispositivo electrónico de interés y desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vacío fue introducido por J. A. Fleming. Poco después, en 1906, Lee, De Forest agregó un tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de vacío, lo que originó el primeramplificador: el triodo. En los años siguientes, la radio y la televisión brindaron un gran impulso a la industria de tubos electrónicos. La producción aumentó de cerca de 1 millón de tubos en 1922 hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de la década de los treinta el tétrodo de cuatro elementos y el péntodo de cinco elementos se distinguieron en la industria de tuboselectrónicos. Durante los años subsecuentes, la industria se convirtió en una de primera importancia y se lograron avances rápidos en el diseño, las técnicas de manufactura, las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturización.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947 la industria electrónica atestiguó el advenimiento de una dirección de interés y desarrollo completamente nueva. Fue en eltranscurso de la tarde de ese día que Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el efecto amplificador del primer transistor en los Bell Telephone Laboratorios. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra en la figura 26. De inmediato, las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres terminales sobre el tubo electrónico fueron evidentes: era más pequeño yligero; no tenía requerimientos de filamentos o pérdidas térmicas; ofrecía una construcción de mayor resistencia y resultaba más eficiente porque el propio dispositivo absorbía menos potencia; instantáneamente estaba listo para utilizarse, sin requerir de un periodo de calentamiento; además, eran posibles voltajes de operación más bajos. Todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el nivelde voltaje, corriente o potencia) tienen al menos tres terminales con una de ellas controlando el flujo entre las otras dos.
 
 
         
Fig. 26. El primer transistor.
 
4.1.1 Construcción del Transistor
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas de material tipo N y una de tipo P o dos capas de material tipo P y una de tipo N. El...