Bjt Y Fet

Podemos clasificar los transistores en 2 grandes grupos: BJT y FET.

- BJT (de unión dipolar)
Están formados por dos uniones pn y constan de 3 terminales (colector, base y emisor), que secorresponden con las tres zonas de material semiconductor. Por el emisor entra un flujo de portadores que a través de la base llega al colector (los sentidos de la corriente están indicados en la figura).Los transistores bipolares se suelen usar en configuraciones de emisor común, para poder controlar la corriente de salida con una pequeña corriente de base.

zonas de funcionamiento: ACTIVA ( tramohorizontal: iC= β iB) , CORTE (iC=iB=0) , SATURACIÓN ( tramo vertical: UCE < 500 mV).

- FET (de efecto de campo)
Los terminales en este caso son: fuente (F o S), drenaje (D) y puerta (G o P).Cabe distinguir en este grupo dos tipos diferenciados: los JFET (de unión) y los MOSFET (del tipo metal - óxido - semiconductor).

Los transistores MOSFET en configuración de emisor común presentanuna impedancia de entrada muy elevada.

zonas de funcionamiento: CORTE (UPF<UT(umbral) y iD=0), INTENSIDAD CONSTANTE (iD=g(UPF-UT), RESISTENCIA (relación lineal entre tensión y corriente desalida).

Modelo de gran señal
El análisis de un circuito con transistores se puede realizar con el modelo de gran señal, válido para  transistores bipolares y MOSFET conectados en emisor común.
-CORTE: circuito abierto a la salida y a la entrada
- ACTIVA: fuente de corriente de valor βiB a la salida y fuente de tensión continua de 0.7 V a la entrada
- SATURACIÓN: cortocicuito a la salida yfuente de tensión continua a la entrada
- INTENSIDAD CONSTANTE: fuente de intensidad de valor g(UPF-UT) a la salida y circuito abierto a la entrada
- RESISTENCIA: resistencia Req a la salida, de valorinversamente proporcional a la tensión de control y circuito abierto a la entrada

Ejemplo TRAN1
Un transistor BJT de tipo npn y β= 100 se conecta de la siguiente manera: la base se conecta al...