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Nombre: Mercado Arellano Alan
Registro: 10300612
Semestre: 4
Grupo: M-2



Maestra: Claudia Marisol Torres Cadena


Practica: 2. Parcial 2
Nombre dela Practica: Transistor En Conmutación















OBJETIVO.-
Polarizar un transistor en configuración de divisor de tensión, con una fotorresistencia que le permita el encendido yapagado a una lámpara de acuerdo con las condiciones de iluminación.

Material y Equipo.-

1 Fotorresistencia
1 Resistencia (47 KΩ)
1 Resistencia (68 Ω)
1 Resistencia (220 Ω)
1 Transistor(2N3903) (BF392)
1 Transistor MOSFET (IRF510) (MTP10N10E)
1 LED
1 Protoboard
1 Multímetro
Varios Cables Banana
Varios Caimanes


Investigación.-
Sensores Ópticos (Fotorresistencias):Una fotoresistencia es un componente electrónico cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede también ser llamado fotorresistor, fotoconductor, célula fotoeléctrica oresistor dependiente de la luz, cuyas siglas, LDR, se originan de su nombre en inglés light-dependent resistor. Su cuerpo está formado por una célula o celda y dos patillas.
El valor de resistenciaeléctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en él (puede descender hasta 50 ohms) y muy alto cuando está a oscuras (varios megaohmios).

Transistor MOSFET:
Es un transistor utilizado paraamplificar o conmutar señales electrónicas. Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente estáconectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo.



Desarrollo Teórico.-Elementos
V
V
LDR
10.6 V
11.12 V

0.767 V
0.34 V

11.48 V
0.1 V

0.10 V
0.1 V
B
0.75 V
0.7 V
C
0.11 V
11.5 V
E
0.10 V
0.1 V
CE
0.3 V
11.3 V


Dibujos O Diagramas:...