Campo magnetico
Páginas: 2 (308 palabras)
Publicado: 31 de agosto de 2014
Figura 1. Silicio
Figura 2. Germanio
Figura 3. Resistencia 10
Figura 4. Resistencia 1000
Figura 5. Resistencia del Ge
Figura 6. Resistencia Si
Figura 7. Resistencia decaja en 1KΩ
Analisis de resultados
Como podemos observar en las figuras 4 y 5, las cajas de resistencia de 10 y 1000 Ω, cumplen con la ley de Ohm, la cual indica que , ya que estasgraficas muestran linealidad; asi que los valores de las pendientres obtenidos serian igual al inverso de la pendiente .
En cambio, si observamos las figuras 1 y 2, podemos darnos cuenta aprimera vista que la dependencia de I conrespecto a R en los diodos no es lineal, sino mas bien es de tipo exponencial; se puede apreciar que luego de cierto voltaje la corriente empieza acrecer rapidamente hasta llegar a una asintonta vertical llamada barrera de potencial. Las barreras de potencial teoricas para los diodos de Ge es de 0.3 V, y de Si es de 0.7 V, cuando serealizo la practica se midió la barrrera de potencial de los diodos con un ohmómetro y se obtuvo para el Ge = 0.243 V y Si =0.557 V. De las figuras 1 y 2 podemos extraer que la barrera depotencial de Ge ≈ 0.28 V y Si ≈ 0.68 V.
Los resultados teorios y praticos son muy aproximados entre si. Para el valor de las barreras de potencial para germanio la obtenida con el ohmometrotiene un 19% de error y la obtenida con la grafica un 6.66% de error. Para el valor de las barreras de potencial para silicio la obtenida con el ohmometro tiene un 20% de error y laobtenida con la grafica un 2.9% de error.
En la figura 7 podemos observar que para los dispositivos que cumplen con la ley de Ohm para cualquier corriente que experimenten su resistenciapermanece constante, en el caso de los diodos de silicio y germanio la resitencia es variable con respecto a la corriente para mayores corrientes el diodo poseera una menor resistencia.
Figura 1. Silicio
Figura 2. Germanio
Figura 3. Resistencia 10
Figura 4. Resistencia 1000
Figura 5. Resistencia del Ge
Figura 6. Resistencia Si
Figura 7. Resistencia decaja en 1KΩ
Analisis de resultados
Como podemos observar en las figuras 4 y 5, las cajas de resistencia de 10 y 1000 Ω, cumplen con la ley de Ohm, la cual indica que , ya que estasgraficas muestran linealidad; asi que los valores de las pendientres obtenidos serian igual al inverso de la pendiente .
En cambio, si observamos las figuras 1 y 2, podemos darnos cuenta aprimera vista que la dependencia de I conrespecto a R en los diodos no es lineal, sino mas bien es de tipo exponencial; se puede apreciar que luego de cierto voltaje la corriente empieza acrecer rapidamente hasta llegar a una asintonta vertical llamada barrera de potencial. Las barreras de potencial teoricas para los diodos de Ge es de 0.3 V, y de Si es de 0.7 V, cuando serealizo la practica se midió la barrrera de potencial de los diodos con un ohmómetro y se obtuvo para el Ge = 0.243 V y Si =0.557 V. De las figuras 1 y 2 podemos extraer que la barrera depotencial de Ge ≈ 0.28 V y Si ≈ 0.68 V.
Los resultados teorios y praticos son muy aproximados entre si. Para el valor de las barreras de potencial para germanio la obtenida con el ohmometrotiene un 19% de error y la obtenida con la grafica un 6.66% de error. Para el valor de las barreras de potencial para silicio la obtenida con el ohmometro tiene un 20% de error y laobtenida con la grafica un 2.9% de error.
En la figura 7 podemos observar que para los dispositivos que cumplen con la ley de Ohm para cualquier corriente que experimenten su resistenciapermanece constante, en el caso de los diodos de silicio y germanio la resitencia es variable con respecto a la corriente para mayores corrientes el diodo poseera una menor resistencia.
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