Capacitancia

CAPACITANCIA DE TRANSICIÓNY DIFUSIÓN
Los dispositivos electrónicos son inherentemente sensibles a las frecuencias muy altas. Casitodos los efectos relativos a la capacitancia pueden omitirse a bajasfrecuencias, debido a quesu reactancia Xc
=
\l2rtfe
es
muy grande (equivalente a circuito abierto). Sin embargo, esto nose puede ignorar a frecuencias muy altas.
X"
será lo suficientementepequeño debido al altovalor de
f
para presentar una trayectoria de "corto" de baja reactancia. En el diodo semiconductor
p-n
existen dos efectos de capacitancia que deben considerarse. Ambos tipos decapacitanciase encuentran presentes
en
las regiones de polarización directa y polarización inversa, perouna sobrepasa a la otra de tal manera que en cada región sólo se consideran los efectos deunasola capacitancia.
En
la región de polarización inversa
se
tiene la capacitancia de la región detransición o de agotamiento
(e
T
),
mientras que en la región de polarización directa
se
tienela capacitancia de difusión
(e
J
o de almacenamiento.
Recuerde que la ecuación básica para la capacitancia de un capacitar de
placa'S
paralelasestá definida por
e
=
EA/d,
donde
E
es lapertnitividad del dieléctrico (aislante) entre las placasde área
A
separada por una distancia
d.
En la región de polarización inversa existe una región deagotamiento (libre de portadores) que, enesencia, se comporta
como
un aislante entre lascapas de carga opuesta. Debido a que el ancho de esta región
(el)
se incrementará mediante elaumento del potencial de polarización inversa, lacapacitancia de transición que resulta disminuirá, como lo muestra
la
figura 1.37. El hecho de que
la
capacitancia
es
dependiente delpotencial de polarización inverso aplicado, tiene aplicación
ennumerosos sistemas electrónicos. De hecho,
en
el capítulo 20 se presentará un diodo
cuya
operación depende totalmentede este fenómeno.Aunque el efecto descrito también se encontrará presente
en...