Capacitor mosfet
Páginas: 10 (2385 palabras)
Publicado: 6 de junio de 2011
EXPOSICION MOS CAPACITOR
LUISA FERNANADA RODRIGUEZ AGUILAR
JEFFERSON ESCOBAR
JULIAN CAMILO RODRIGUEZ MANCO
SEMICONDUCTORES
Curso
JUAN ESTEBAN MARTINEZ
Profesor
02/06/2011
UNIVERSIDAD DE ANTIOQUIA
FACULTAD DE INGENIERIA
INTRODUCCION
La tecnología MOSFETs en la actualidad se utiliza como dispositivos discretos como elementos activos en formato digital y análogo y comocircuitos integrados monolíticos (VA). En los últimos años las múltiples características del dispositivo de dichos circuitos se han reducido en el rango de sub-micrométricas profunda. En la actualidad el modo de la tecnología es de 0,13 micras, para MOSFET complementarios (CMOS).
la tecnología MOSFET hace posible la construcción de cientos de millones de transistores en un solo chip y se utiliza enlos microprocesadores y circuitos integrados de memoria en la actualidad, esto es posible utilizando a quien culpamos de los grandes avances de la actual tecnología.
Es por eso, que en nuestro caso, decidimos estudiar un componente de dicha tecnología que es el CAPACITOR MOSFET, el cual es utilizado en la actualidad e sensores CCD.
MARCO TEORICO
¿QUE ES UN CAPACITOR MOS?
El capacitorMOS es un dispositivo semiconductor de dos terminales de interés práctico por derecho propio.
Consiste en un contacto de metal separado del semiconductor con un aislante dieléctrico. Además tiene un contacto óhmico adicional que se proporciona en el substrato del semiconductor.
Casi universalmente, la estructura MOS utiliza silicio dopado como el sustrato y su óxido nativo, dióxido desilicio, como el aislante
ESTRUCTURA MOS
El capacitor consta de un-Óxido Semiconductor costa de:
1. Una capa delgada de óxido y un contacto superior del metal, conocida como la puerta.
2. Una capa del metal forma un contacto óhmico a la parte de atrás de los semiconductores es una película aislante de dióxido de silicio
3. Un sustrato tipo p.Nos referiremos a esto como un MOS tipo n-condensador ya que la capa de inversión contiene electrones. .
Suponemos que la capa aislante tiene una resistencia infinita, evitando que cualquier portador de la carga transporte a través de la capa dieléctrica cuando un voltaje de polarización se aplica entre el metal y el semiconductor.
En el capacitor MOS podemos usar el voltaje aplicado para controlar el tipo de interfaz decarga que inducen en el semiconductor portadores mayoritarios, portadores minoritarios, y la carga de agotamiento. De hecho, la capacidad de inducir y modular la realización de una hoja de portadores minoritarios en la interface del semiconductor de óxido es la base para el funcionamiento del MOSFET
Interfaz de carga:
La carga inducida en la interfaz de capacitor MOS está estrechamente vinculada a la forma delas bandas de energía de los electrones del semiconductor cerca de la interfaz. A cero la tensión aplicada, la curvatura de las bandas de energía está muy determinado por la diferencia en el funciones de trabajo del metal y el semiconductor.
Esta banda de flexión cambia con la polarización aplicada y las bandas se han aplanado cuando aplicamos la tensión de banda plana llamada VoltajeFlatband
Donde m y s son las funciones de trabajo del metal y el semiconductor, respectivamente, X es la afinidad electrónica de los semiconductores, Ec es la energía del borde de la banda de conducción, y la FE es el nivel de Fermi en cero voltajes aplicados.
Se muestran diagramas típicos de banda de un capacitorMOS en cero prejuicios, y con la tensión V = VFB aplica al contacto del metal conrespecto a la interfaz semiconductora óxido.
“Tenga en cuenta que en dispositivos reales, la tensión plana de banda puede ser afectados por estados de superficie en la interface del semiconductor de óxido y cargos fijos en la capa aislante.
ESTRUCTURA Y PRINCIPIO DE OPERACIÓN
Para entender los modos diferentes de operación de un capacitor MOS es necesario considerar tres...
LUISA FERNANADA RODRIGUEZ AGUILAR
JEFFERSON ESCOBAR
JULIAN CAMILO RODRIGUEZ MANCO
SEMICONDUCTORES
Curso
JUAN ESTEBAN MARTINEZ
Profesor
02/06/2011
UNIVERSIDAD DE ANTIOQUIA
FACULTAD DE INGENIERIA
INTRODUCCION
La tecnología MOSFETs en la actualidad se utiliza como dispositivos discretos como elementos activos en formato digital y análogo y comocircuitos integrados monolíticos (VA). En los últimos años las múltiples características del dispositivo de dichos circuitos se han reducido en el rango de sub-micrométricas profunda. En la actualidad el modo de la tecnología es de 0,13 micras, para MOSFET complementarios (CMOS).
la tecnología MOSFET hace posible la construcción de cientos de millones de transistores en un solo chip y se utiliza enlos microprocesadores y circuitos integrados de memoria en la actualidad, esto es posible utilizando a quien culpamos de los grandes avances de la actual tecnología.
Es por eso, que en nuestro caso, decidimos estudiar un componente de dicha tecnología que es el CAPACITOR MOSFET, el cual es utilizado en la actualidad e sensores CCD.
MARCO TEORICO
¿QUE ES UN CAPACITOR MOS?
El capacitorMOS es un dispositivo semiconductor de dos terminales de interés práctico por derecho propio.
Consiste en un contacto de metal separado del semiconductor con un aislante dieléctrico. Además tiene un contacto óhmico adicional que se proporciona en el substrato del semiconductor.
Casi universalmente, la estructura MOS utiliza silicio dopado como el sustrato y su óxido nativo, dióxido desilicio, como el aislante
ESTRUCTURA MOS
El capacitor consta de un-Óxido Semiconductor costa de:
1. Una capa delgada de óxido y un contacto superior del metal, conocida como la puerta.
2. Una capa del metal forma un contacto óhmico a la parte de atrás de los semiconductores es una película aislante de dióxido de silicio
3. Un sustrato tipo p.Nos referiremos a esto como un MOS tipo n-condensador ya que la capa de inversión contiene electrones. .
Suponemos que la capa aislante tiene una resistencia infinita, evitando que cualquier portador de la carga transporte a través de la capa dieléctrica cuando un voltaje de polarización se aplica entre el metal y el semiconductor.
En el capacitor MOS podemos usar el voltaje aplicado para controlar el tipo de interfaz decarga que inducen en el semiconductor portadores mayoritarios, portadores minoritarios, y la carga de agotamiento. De hecho, la capacidad de inducir y modular la realización de una hoja de portadores minoritarios en la interface del semiconductor de óxido es la base para el funcionamiento del MOSFET
Interfaz de carga:
La carga inducida en la interfaz de capacitor MOS está estrechamente vinculada a la forma delas bandas de energía de los electrones del semiconductor cerca de la interfaz. A cero la tensión aplicada, la curvatura de las bandas de energía está muy determinado por la diferencia en el funciones de trabajo del metal y el semiconductor.
Esta banda de flexión cambia con la polarización aplicada y las bandas se han aplanado cuando aplicamos la tensión de banda plana llamada VoltajeFlatband
Donde m y s son las funciones de trabajo del metal y el semiconductor, respectivamente, X es la afinidad electrónica de los semiconductores, Ec es la energía del borde de la banda de conducción, y la FE es el nivel de Fermi en cero voltajes aplicados.
Se muestran diagramas típicos de banda de un capacitorMOS en cero prejuicios, y con la tensión V = VFB aplica al contacto del metal conrespecto a la interfaz semiconductora óxido.
“Tenga en cuenta que en dispositivos reales, la tensión plana de banda puede ser afectados por estados de superficie en la interface del semiconductor de óxido y cargos fijos en la capa aislante.
ESTRUCTURA Y PRINCIPIO DE OPERACIÓN
Para entender los modos diferentes de operación de un capacitor MOS es necesario considerar tres...
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