Capitulo8

CAPÍTULO 8

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

CAPÍTULO 8

CIRCUITOS DE DISPARO PARA
SEMICONDUCTORES

8.1) ELEMENTOS BÁSICOS DE UN CIRCUITO
DE DISPARO.T1

+
220 V ref

iG

vs

Ld

vd

RVcc
iG
vsinc Circuito de
disparo

vs
Tr

vc
Fig. 8.1.: Esquema básico de un circuito de disparo.

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

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CAPÍTULO 8

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

Generador dediente de sierra

Multivibrador
monoestable

Comparador

Tensión de
sincronismo

vds

K

Al Gate

vc

Fig. 8.2.: Diagrama en bloques de un circuito de disparo elemental.
+Vcc

-

I
v1

+

vsinc

Tr1
C1+Vcc
R0

-VB

-

II

+
v2

+

Multivibrador
monoestable

+Vcc

+Vcc

III
v3

-

a)
v6

Pulso de
disparo

vC

vsinc:kvs

α

ωt

0

α =0º

v1

ωt

0

v2

Vm

vC

ωt

0

b)

v3

ωt

0

v6

0

∆

ωtFig. 8.3.: Circuito de disparo con amplificadores operacionales: a) circuito; b) formas de
onda.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Pág. 91

CAPÍTULO 8

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

8.2) CIRCUITOSDE DISPARO CON
TRANSISTORES MONOJUNTURA.

E

C

t

B2
B1

vC

τ2

vP

R2

R

τ1

vC

+Vcc

vG

VBB

vG

R1

Τ1

t

Τ2

Fig. 8.4.: Oscilador de relajación con transistor monojuntura.
R3

D1
Carga

RTr1

R2

VZ
C

vS

a)
vS

+

vG

vS

vZ

vp=ηVBB

b)

vG
α

Fig. 8.5.: Circuito de control con transistor monojuntura.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Pág. 92

CAPÍTULO 8

CIRCUITOS DE DISPAROS PARASEMICONDUCTORES

8.3) CIRCUITOS DE DISPARO AISLADOS
PARA SCR.
A

D1
15 V

G

D2

K

RG

TG

Señal
de
pulso

Fig. 8.6.: Uso de transformador de pulso para aislar SCR.

1

2

3

4

Línea

Fuente de poder
para elcircuito de
disparo del Gate

Detección de
cruce por cero
Trafos de
pulsos

vcontrol

Retardo
del
ángulo

Amplificador
de pulsos

Tierra del
control

Fig. 8.7.: Diagrama general del circuito de disparopara un rectificador monofásico.

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Pág. 93

CAPÍTULO 8

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

8.4) CIRCUITOS DE DISPARO INTEGRADOS
PARA TIRISTORES.
Sincronización...