CARACTERÍSTICAS Y POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES JFET

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II
INFORME DE LABORATORIO

CARACTERÍSTICAS Y POLARIZACIÓN
DE TRANSISTORES JFET

INTRODUCCIÓN
En el presente informe presentamos algunos análisis sobre el funcionamiento de los JFET’S, al formar diferentes tipos de circuitos que funcionan permitiendo conocer las características de estos importantes dispositivos.
Los transistores JFET son utilizados principalmenteen circuitos integrados como amplificadores, osciladores, resistores variables, u otros, y funcionan mejor que los BJT a altas frecuencias.
En cuanto a los puntos que trataremos a continuación veremos primeramente el comportamiento de la corriente de drenaje a fuente; es decir, su variación con respecto al voltaje drenaje-fuente al mantener un voltaje constante en la compuerta.
Luego veremosel comportamiento que se da en la corriente de drenaje a fuente cuando se mantiene un voltaje drenaje-fuente constante y se varía el voltaje de la compuerta.
Estos análisis permiten saber mediante las curvas características, las especificaciones de un transistor y así las condiciones correctas en las que se puede utilizar el circuito que lo contiene.
Finalmente veremos algunos circuitos básicosde polarización para transistores JFET, con los cuales podremos obtener características como voltaje de estrechamiento y corriente máxima del transistor dependiendo de la forma como varían el voltaje y la corriente drenaje-fuente.
MARCO TEÓRICO
El JFET (transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un dispositivo electrónico, que según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dandounos valores de salida. Estos al ser transistores de efecto de campo eléctrico, sus valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (compuerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
1- Zonaóhmica o lineal: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.

2- Zona de saturación: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS.

3- Zona de corte:La intensidad de drenaje es nula (ID=0).


A diferencia del transistor BJT, los terminales drenaje y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se trata de un dispositivo simétrico).

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIÓN
PRINCIPAL VENTAJA
USOS
Aislador o separador (buffer)Impedancia de entrada alta y de salida baja.
Uso general, equipo de medida, receptores.
Amplificador de RF
Bajo ruido.
Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones.
Mezclador
Baja distorsión de intermodulación.
Receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones.
Amplificador con CAG
Facilidad para controlar ganancia.
Receptores, generadores de señales.
Amplificador cascode
Bajacapacidad de entrada.
Instrumentos de medición, equipos de prueba.
Troceador
Ausencia de deriva.
Amplificadores de cc, sistemas de control de dirección.
Resistor variable por voltaje
Se controla por voltaje.
Amplificadores operacionales, órganos electrónicos, controlas de tono.
Amplificador de baja frecuencia
Capacidad pequeña de acoplamiento.
Audífonos para sordera, transductores inductivos.Oscilador
Mínima variación de frecuencia.
Generadores de frecuencia patrón, receptores.
Circuito MOS digital
Pequeño tamaño.
Integración en gran escala, computadores, memorias.










GUÍA GENERAL
Laboratorio #1
Materiales:
Transistor ECG312 (JFET), Protoboard, Cables, Fuente de alimentación, Multímetro.
Procedimiento:
1. Utilizando el programa de simulación de...