Caracteristicas electricas del jfet

Características eléctricas del JFET
El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio dematerial semiconductor de tipo n con dos regiones(islas) dematerial tipo p situadas a ambos lados.
Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta(gate).
En la figura 1.10.a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 1.10.b el símbolo de este dispositivo y en la 1.10.c el símbolo deun JFET de canal P
La polarización de un JFETexige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas.
En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenadordebe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal.
Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que lafuente para que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura 1.11.

Las curvas de característicaseléctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensión adiferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.
Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenadora source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas deoperación: corte, lineal, saturación y ruptura. A continuación se realiza una descripción breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.