Caracteristicas electricas i-v del diodo union

PRÁCTICA DE LABORATORIO #1
CARACTERÍSTICA ELÉCTRICAS I-V DEL DIODO UNIÓN

SERGIO DAVID BOTERO MULCUÉ
CÓDIGO: 2010192777

TRABAJO PRESENTADO EN LA ASIGNATURA
ELECTRÓNICA ANÁLOGA I

PROFESOR: RAMIRO PERDOMO RIVERA

UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA
FACULTAD DE INGENIERÍA
PROGRAMA ELECTRÓNICA
NEIVA, MARTES 29 DE MARZO
2011

TABLA DE CONTENIDO

Pág.
1. OBJETIVOS3

2. JUSTIFICACIÓN 4

3. MARCO TEÓRICO 5

4. DISPOSITIVOS, MATERIALES Y EQUIPOS 7

5. PROCEDIMIENTO 8

6. CÁLCULOS11

7. RESULTADOS 16

8. ANÁLISIS DE RESULTADOS 21

9. CONCLUSIONES 23

1. OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL:
* Entender el comportamiento físico real de los diodos deSilicio y Germanio de unión P-N, respecto a sus propiedades de Voltaje y Corriente.

OBJETIVOS ESPECIFICOS:

* Conocer, comprobar y verificar el verdadero funcionamiento que ocurre dentro del diodo (tanto de Silicio como de Germanio) y el circuito respecto a su conexión o polarización, en directo y/o inverso.

* Observar y analizar el cambio que presentan los diodos (tanto deSilicio como de Germanio), respecto a su característica I-V.

* Ver y conocer los efectos que tiene la temperatura en un determinado tiempo en los diodos y el circuito respectivo que se tenga; cómo se comporta en esta situación.

2. JUSTIFICACIÓN

La realización de esta práctica es de suma importancia, ya que se trabaja un tema básico en el ambiente electrónico. Se realizo principalmentepara adquirir conocimientos básicos y generales, sobre el comportamiento de los diodos, respecto a su polarización en directo e inverso y el fenómeno o los efectos que presenta al aplicarle un cambio de temperatura.

3. MARCO TEÓRICO

Polarización en directo:
| | |

En el caso de la polarización en directo del diodo, primero que todo para que este polarizado directamente, sedebe conectar el polo positivo de la fuente al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. Lo que hace que la fuente disminuya la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión, en pocas palabras el diodo polarizado directamente se comporta como un circuito cerrado y permite que conduzca la electricidad.

Polarizaciónen inverso:
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En el caso de la polarización en inverso del diodo, primero que todo para que este polarizado inversamente, se debe conectar el polo positivo de la fuente al cátodo del diodo y el polo negativo al ánodo. En este caso lo que hace es aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de tensión de la fuente, en pocas palabras eldiodo polarizado en inverso se comporta como un circuito abierto. Y aunque no debería conducir corriente, se presenta un efecto causado por la temperatura, la cual es denominada corriente inversa de saturación, pero pues es muy mínima y es casi despreciable.

Resistencia estática:
La resistencia estática del diodo en el punto de operación sobre la curva que no varía en el tiempo, puedeencontrarse fácilmente localizando primero los valores correspondientes de VD y de ID y aplicando la siguiente ecuación:
RD=VDID
Resistencia dinámica:
La resistencia dinámica del diodo se puede obtener gracias a una línea tangente a la curva sobre el punto de operación, así se podrá definir un cambio particular en el voltaje y en la corriente con la aplicación de la siguiente fórmula:
rd=∆VD∆ID...