Caracterización De Un Transistor Bjt

Transistores de Unión Bipolar ( BJT )
El transistor de unión bipolar es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el pasode la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos yelectrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unión bipolar estáformado por dos uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estarfuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor delcolector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

Imagen 1. Transistor BJT
La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado yde alta resistividad. El colector rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valorresultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran β.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayoría de los BJT modernos están compuestosde silicio. Actualmente, una pequeña parte de éstos están hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Tipos de BJT
Los transistores NPN consisten enuna capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del...