Caracterización Y Uso De Transistores De Efecto De Campo

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS, PRÁCTICA NO. 6, DICIEMBRE DE 2009

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Caracterización y Uso de Transistores de Efecto de Campo
 Abstract—In this paper we present the analysis done to the behavior of the field effect transistor studying the characteristic curves that the oscilloscope offers and comparing them with the curves given by the manufacturer, this way to understand evenbetter its procedure and operation. Also, there are presented the different types of FETs and different applications that can be given to these devices. There is analyzed the resistivity that offers the JFET in a circuit shaped with 3 diodes 1N4004 with his respective sources and resistances, like also the modification of this resistance by connected other one of a certain form; finally these 2behaviors are analyzed, observed and compared. Palabras Clave—Transistor De Unión De Efecto De Campo (JFET), Fuente Ideal De Corriente Con Tensión Regulada, Resistencia Controlada Por Voltaje (VCR).

Comercialmente existe una gran variedad de FET y su utilidad depende del uso que se le dé, pues cada uno presenta distintas características, tanto en su composición y parámetros internos como en suforma física. En la Tabla I se puede
TABLA I COMPARACIÓN ENTRE FETS COMERCIALES Referencia 2SK370 Tipo JFET tipo n Aplicaciones

I. INTRODUCCIÓN

L

transistores de efecto de campo, por su acrónimo en inglés FETs (Field Effect Transistor), son dispositivos semiconductores de tres terminales altamente implementados en circuitos digitales (tecnología y lógica CMOS) [1] y analógicos. Losterminales de los FETs son: Puerta o compuerta (G – Gate), Fuente o surtidor (S – Source) y Dreno o drenador (D – Drain). La puerta es similar a la base de un BJT. El FET se comporta como una fuente de corriente controlada por tensión, donde el voltaje aplicado a puerta regula el flujo de corriente entre dreno y fuente. A diferencia del transistor BJT, los terminales dreno y fuente pueden serintercambiados sin que se altere apreciablemente la curva característica V vs. I, esto se debe a que es un dispositivo simétrico [11].
OS

Aplicaciones para amplificadores de sonido de bajo ruido3. 2SJ105 JFET tipo p Amplificador de sonido, Interruptor análogo, aplicaciones con corriente constante y conversor de impedancia4. 2SK1061 MOSFET tipo n Interruptores de alta velocidad, interruptores analógicos,aplicaciones de interface5. 2SJ167 MOSFET tipo p Interruptores de alta velocidad, interruptores analógicos, aplicaciones de interface6. Las aplicaciones mostradas en esta tabla son las recomendadas por el fabricante en los DataSheets correspondientes a cada referencia.

observar cuatro recomendados.

referencias

conocidas

y

sus

usos

Existen dos tipos de tales dispositivos, losJFETs y los MOSFETs, correspondientes a las siglas FETs de unión (junction) y Transistores Metal-Óxido-Semiconductor respectivamente [1]. El JFET puede ser canal n o canal p y se caracteriza por la señal de entrada que controla una unión p-n a través de la puerta [1]. El MOSFET también puede ser canal n o canal p y este se caracteriza por la señal que se controla a través de una puerta aisladasimilar a un capacitor de placas plano paralelas [1]. El MESFET es un JFET construido en arseniuro de galio (GaAs) y su funcionamiento se cimienta en que la señal de entrada es controlada por una barrera Schottky (región de puerta metal-semiconductor) [1]. En el MESFET la zona de semiconductor está dopada con impurezas tipo p, esto garantiza un voltaje umbral muy bajo lo que permite una rápidaconmutación entre los estados de conducción según sea la polarización [1] [2].

Una característica importante de los FETs es que pueden ser usados como una resistencia controlada por voltaje; a esto se le conoce, por sus siglas en ingles, como VCR (VoltageControlled Resistor). Esta propiedad de los FETs se da exclusivamente en la región óhmica de operación, pues es en esta en la que se presentan...