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UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER INGENIERÍA ELECTRÓNICA LABORATORIO N°1 ELECTRÓNICA II INTRODUCCIÓN A LA SIMULACIÓN CON ORCAD PSPICE
1. OBJETIVO GENERAL ♦ Analizar el comportamiento del amplificador de Emisor Común (EC) monoetapa utilizando los diferentes tipos de análisis disponibles con la herramienta de simulación ORCAD PSPICE. 1.1 ESPECÍFICOS

 Familiarizar al estudiante con eluso de la herramienta de simulación ORCAD PSPICE como complemento al proceso de diseño y análisis de circuitos amplificadores.  Identificar los principales tipos de simulación que presenta la herramienta ORCAD PSPICE para utilizarlos como soporte al análisis y diseño de circuitos con transistores.  Obtener los parámetros de voltaje de polarización VCEQ, corriente de operación ICQ, Beta deoperación del transistor Bf y las diferentes corrientes y voltajes del circuito de prueba a partir del modelo de pequeña señal del transistor con la herramienta de simulación.  Determinar los parámetros que pueden modificarse en el modelo utilizado por el ORCAD con la herramienta PSPICE MODEL.  Utilizar la herramienta PROBE de ORCAD para visualizar los diferentes resultados que se pretenden obtener conla simulación.

2. EQUIPO NECESARIO ♦ Computador con ultimas especificaciones ♦ Herramienta de simulación ORCAD PSPICE 10.3 3. COMPONENTES NECESARIOS ♦ Los componentes se tomaran de las librerías que la herramienta disponibles para la simulación. 4. TRABAJO PERSONAL PREVIO Nota: ♦ Para la simular con Orcad Pspice, es necesario consultar e identificar los parámetros del modelo de simulación paraun transistor BJT.
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♦ Obtenidos los valores teóricos de los principales parámetros del circuito de la Fig. Nº1,( Ro, , , ICQ, VCEQ) , proceda a llenar los espacios correspondientes de la Tabla Nº 1.

5. ECUACIONESBÁSICAS EXPRESIÓN MATEMÁTICA
EC. RECTA DC

,
EC. RECTA AC

MODELO PSPICE ( PARÁMETROS DE CAMBIO) BETA VOLTAJE EARLY 6. PROCEDIMIENTO β
VA

AMPLIFICADOR DE EMISOR COMÚN VCC

GENERADOR

Rs 2k

33k Cc1 1uF 22k

R1

4k

Rc

Cc2 2uF

R2

RE 4k

CE 10uF

RL 5k

Fig. Nº 1

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6.1 ANÁLISIS EN BIAS POINT (ANÁLISIS EN DC)

El análisis en el modo de Bias Point se utiliza para determinar el punto de operación de cada uno de los elementos que conforman el circuito de prueba e identifica los parámetros del modelo de los dispositivos activos que utiliza en la simulación. Implemente el circuito de laFigura Nº 1 en el área de trabajo de Orcad como lo muestra la Fig. N°2.

Fig. N°2 ♦ Ubique cada elemento del circuito, (R, C, VCC, VSIN, VDC, Q2N2222A), en el área de trabajo utilizando Place part de la barra de herramientas. ♦ Ubique la fuente Vsin en el área de trabajo con los valores, Fig. N°2: Voff = 0 VAMPL = 20mV FREQ= 10KHZ.

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♦ De la barra de herramientas derecha seleccione Place net alias para darle nombre a cada nodo mejorando su identificación a la hora de la simulación. ♦ Es necesario para simular elementos semiconductores cambiar el parámetro βf, o de lo contrario los valores obtenidos en el análisisteórico no corresponderán a los arrojados en la simulación. Se asumirá para el análisis teórico del circuito de prueba un valor de βf = 213. ♦ Primero seleccione el transistor, y luego de la barra superior Edit / Pspice Model. ♦ Ya en el editor de texto del modelo de Pspice cambie el parámetro βf =200 y VA = 300. Dele un nuevo nombre al modelo que Orcad implementara para ese transistor, Q2N2222A_J,...