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DIODO EN OPERACIÓN – POLARIZACION DIRECTA

Los semiconductores extrínsecos (sometidos a procesos de dopaje) como los diodo, están constituidos por dos regiones de semiconductores: los tipo n y lostipos p. Cada región dopada con impurezas de electrones donadores y receptores. Al unir las dos partes en un cristal de silicio (más comúnmente usado) se genera un diferencial de potencial V através de la unión creada, también conocida como región de agotamiento, en equilibrio, esta unión cuenta con pocos portadores de una carga de cada tipo, por lo que la resistencia será muy elevada .Materiales n y p
Los materiales de tipo n se crean cuando se introducen elementos impuros pentavalentes (cuentan con cinco electrones de valencia, como elementos del grupo V, antimonio, el arsénico o elfósforo) en una base de germanio o de silicio. Estos enlaces covalentes quedan presentes, pero el quinto electrón adicional (del átomo de la impureza), esta disociado del cualquier enlace covalenteparticular, lo que le permite moverse libremente dentro del material tipo n ya formado. Dado que la cantidad de electrones libres supera al de huecos en un semiconductor tipo n, los electrones libresson los portadores mayoritarios, y los huecos son los portadores minoritarios.


Impureza de antimonio en un material tipo n

En cuanto a los materiales de tipo p, si nuevamente se introduce alsilicio puro, un elemento en este caso del grupo III (como el aluminio, el boro, el galio, o indio) el enlace covalente formado estará incompleto ya que al contar con sólo tres electrones, satisfacerálas necesidades de tres de los cuatro átomos del silicio, dejando un protón libre, dándole así naturaleza positiva al cristal. En este caso los huecos son llamados portadores de mayoría, y a loselectrones se le denomina portadores de minoría.

Estos portadores se generan de manera continua por agitaciones térmicas, se combinan y recombinan de acuerdo con su tiempo de vida y alcanzan una...