Ciencias

LABORATORIO 4:
CURVAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR DE JUNTURA BIPOLAR (BJT)

1.- OBJETIVOS:
* Evaluar la característica de entrada: Base - Emisor, del transistor NPN.
* Evaluar lacaracterística de salida: Colector – Emisor, del transistor NPN.
* Cuantificar los parámetros que permite modelar al transistor, en pequeña señal.
* Estructura y simbología de los transistoresbipolares NPN y PNP

2.- FUNDAMENTO TEORICO:
Los modelos físicos de los transistores PNP y NPN se muestran en las figuras. La zona central se denomina "Base", mientras que las zonas externas sedenominan respectivamente "Emisor" y "Colector".

Transistor NPN

Transistor PNP

El funcionamiento de los transistores se basa en la posibilidad de controlar la corriente que fluye entre Colector yEmisor a través de la aplicación de una corriente en la base B, lo cual se obtiene polarizando directamente la unión base-emisor e inversamente la unión base-colector.
* Características de entradaen emisor común del transistor NPN

* Características de salida en emisor común del transistor NPN


3.- MEDICIONES EINFORMACION EXPERIMENTAL OBTENIDA EN EL LABORATORIO:

Tabla T1: Corriente de Base, en microamperios ( ib = VR3/R3), en función del voltaje base emisor VBE con parámetro: VCE
VBE | Parámetro |
|VCE = 0V | VCE = 2V | VCE = 4V | VCE = 6V |
0 | 0 µA | 0 µA | 0 µA | 0 µA |
500 | 0 µA | 0 µA | 0 µA | 0 µA |
550 | 0 µA | 0,2 µA | 0,2 µA | 0,3 µA |
600 | 0 µA | 1,6 µA | 1,6 µA | 1,7 µA |650 | 0 µA | 8,2 µA | 8,3 µA | 9,1 µA |
700 | 0 µA | 67,3 µA | 53,5 µA | 84,6 µA |

Tabla T2: Corriente de Colector, en miliamperios ( ic = VR4/R4), en función del voltaje colector emisor VCEcon parámetro: ib
VCE | Parámetro |
| iB = 5 µA | iB = 10 µA | iB = 20 µA | iB = 40 µA | iB = 60 µA | iB = 80 µA |
0 | 0 mA | 0 mA | 0 mA | 0 mA | 0 mA | 0 mA |
1 | 1.1 mA | 2.3 mA | 4.9 mA...