Circuitos De Manejo De Compuertas Para Scr´S
Páginas: 5 (1136 palabras)
Publicado: 17 de agosto de 2011
CIRCUITOS DE MANEJO DE COMPUERTAS PARA SCR´S
autores.
universidad
Resumen—En este artículo se presenta el análisis y diseño de circuitos de control para activar el SCR al 25, 50 y 75% de la señal entregada por la red eléctrica donde se tiene que aislar tierras del circuito de control con el circuito rectificador. La medición de los diferentes parámetros tales como voltajes AC, DC y RMS,además del factor de potencia y el THD.
Índice de Términos— AC, DC, RMS, THD.
Abstract- This paper presents the analysis and design of control circuits to activate the SCR at 25, 50 and 75% of the signal delivered by the grid where land has to isolate the control circuit with the rectifier. The measurement of various parameters such as voltage AC, DC and RMS, as well as power factor and THD.Index Terms-AC, DC, RMS, THD, SCR.
INTRODUCCIÓN
E
ste documento pretende mostrar el análisis y diseño de los circuitos de control implementados para el manejo de compuerta para el SCR.
Descripción de diseño
Es necesario realizar el disparo de un SCR al 25,50 y 75% de la señal de entrada. Para ello se utilizo un circuito de control el cual genera un PWM proveniente de unmicrocontrolador Motorola JK3 el cual da un ancho dependiendo de un nivel de comparación de tensión que se da por medio de un potenciómetro a la entrada del mircocontrolador.
Figura No. 1 Circuito Montaje No 1 simulado.
Figura No. 2 Onda rectificada de entrada del microcontrolador.
Figura No. 3 Circuito de control con microcontrolador.
La figura anterior muestra el circuito realizado paragenerar la señal de control por medio del microcontrolador JK3. El potenciómetro modifica el ancho del pulso del PWM que se genera en el microcontrolador estando en fase este pulso con la señal de entrada que se rectifico proveniente de la red eléctrica y atenuada 24 veces.
VDC 25%=1TT8T2Asinwt dwt=A*(2+2)4*π=46.108V
Vrms 25%2=1TT8T2(Asinwt) 2 dwt
=A22π*-1sin2*wt-2wt4,t,π4,π
Vrms25%=80.9VVacrms25%= Vrms2-Vdc2
Vacrms25%=66.47V
VDC 50%=1TT4T2Asinwt dwt=A2*π=120*22*π=27V
Vrms 50%2=1TT4T2(Asinwt) 2 dwt
=A22π*-1sin2*wt-2wt4,t,π2,π
Vrms50%=A28=120V*22*2=60V
Vacrms50%= Vrms2-Vdc2
Vacrms50%= Vrms2-Vdc2=37.8889Vrms
VDC 75%=1TT4T2Asinwt dwt=7.91V
Vrms75%2=1TT4T2(Asinwt) 2 dwt
=A22π*-1sin2*wt-2wt4,t,π2,π
Vrms75%=25.57V
Vacrms75%= Vrms2-Vdc2
Vacrms75%=25.572-7.912=24.32V
MEDICIÓN THD
La distorsión armónica total o THD, de una señal es una medida de la actual distorsión armónica y se define como el cociente entre la suma de las potencias de todos los componentes armónicos de la potencia de la frecuencia fundamental.
Para 25% | Teórico | Practico |
AC | 66.47V | 66.7V |
DC | 46.1V | 45.8 |
RMS | 80.9 | 80.81V |
Figura No. 4 Fotos de lasmediciones del multimetro para el 25%
Para 50% | Teórico | Practico |
AC | 53.58V | 51.3V |
DC | 27V | 28.7V |
RMS | 60V | 58.7V |
Figura No. 5 Fotos de las mediciones del multimetro para el 50%
Para 75% | Teórico | Practico |
AC | 24.31V | 21.8V |
DC | 7.91 | 8.83V |
RMS | 25.57V | 23.52V |
Figura No. 6 Fotos de las mediciones del multimetro para el 75%P25%=VRMS2R=80.92144=45.45W
P50%=VRMS2R=602144=25W
P75%=VRMS2R=25.572144=4.54W
Figura No. 7 Medición de voltaje en la resistencia cuando el pulso esta en el 25%.
Figura No. 8 Medición de voltaje en la resistencia cuando el pulso esta en el 50%.
Figura No. 9 Medición de voltaje en la resistencia cuando el pulso esta en el 75%.
Figura No. 10 Circuito completo montaje 1
Con base al anteriorcircuito de control se realiza aislamiento galvánico y óptico para el manejo de compuerta del SCR. Se utiliza un transformador de pulsos y un opto-acoplador para dicho procedimiento.
Figura No 8 Circuito de aislamiento y atenuación de señal para la entrada al microcontrolador.
Figura No 11 Circuito de aislamiento galvánico con transformador de pulsos hacia la compuerta del SCR.
Figura No...
autores.
universidad
Resumen—En este artículo se presenta el análisis y diseño de circuitos de control para activar el SCR al 25, 50 y 75% de la señal entregada por la red eléctrica donde se tiene que aislar tierras del circuito de control con el circuito rectificador. La medición de los diferentes parámetros tales como voltajes AC, DC y RMS,además del factor de potencia y el THD.
Índice de Términos— AC, DC, RMS, THD.
Abstract- This paper presents the analysis and design of control circuits to activate the SCR at 25, 50 and 75% of the signal delivered by the grid where land has to isolate the control circuit with the rectifier. The measurement of various parameters such as voltage AC, DC and RMS, as well as power factor and THD.Index Terms-AC, DC, RMS, THD, SCR.
INTRODUCCIÓN
E
ste documento pretende mostrar el análisis y diseño de los circuitos de control implementados para el manejo de compuerta para el SCR.
Descripción de diseño
Es necesario realizar el disparo de un SCR al 25,50 y 75% de la señal de entrada. Para ello se utilizo un circuito de control el cual genera un PWM proveniente de unmicrocontrolador Motorola JK3 el cual da un ancho dependiendo de un nivel de comparación de tensión que se da por medio de un potenciómetro a la entrada del mircocontrolador.
Figura No. 1 Circuito Montaje No 1 simulado.
Figura No. 2 Onda rectificada de entrada del microcontrolador.
Figura No. 3 Circuito de control con microcontrolador.
La figura anterior muestra el circuito realizado paragenerar la señal de control por medio del microcontrolador JK3. El potenciómetro modifica el ancho del pulso del PWM que se genera en el microcontrolador estando en fase este pulso con la señal de entrada que se rectifico proveniente de la red eléctrica y atenuada 24 veces.
VDC 25%=1TT8T2Asinwt dwt=A*(2+2)4*π=46.108V
Vrms 25%2=1TT8T2(Asinwt) 2 dwt
=A22π*-1sin2*wt-2wt4,t,π4,π
Vrms25%=80.9VVacrms25%= Vrms2-Vdc2
Vacrms25%=66.47V
VDC 50%=1TT4T2Asinwt dwt=A2*π=120*22*π=27V
Vrms 50%2=1TT4T2(Asinwt) 2 dwt
=A22π*-1sin2*wt-2wt4,t,π2,π
Vrms50%=A28=120V*22*2=60V
Vacrms50%= Vrms2-Vdc2
Vacrms50%= Vrms2-Vdc2=37.8889Vrms
VDC 75%=1TT4T2Asinwt dwt=7.91V
Vrms75%2=1TT4T2(Asinwt) 2 dwt
=A22π*-1sin2*wt-2wt4,t,π2,π
Vrms75%=25.57V
Vacrms75%= Vrms2-Vdc2
Vacrms75%=25.572-7.912=24.32V
MEDICIÓN THD
La distorsión armónica total o THD, de una señal es una medida de la actual distorsión armónica y se define como el cociente entre la suma de las potencias de todos los componentes armónicos de la potencia de la frecuencia fundamental.
Para 25% | Teórico | Practico |
AC | 66.47V | 66.7V |
DC | 46.1V | 45.8 |
RMS | 80.9 | 80.81V |
Figura No. 4 Fotos de lasmediciones del multimetro para el 25%
Para 50% | Teórico | Practico |
AC | 53.58V | 51.3V |
DC | 27V | 28.7V |
RMS | 60V | 58.7V |
Figura No. 5 Fotos de las mediciones del multimetro para el 50%
Para 75% | Teórico | Practico |
AC | 24.31V | 21.8V |
DC | 7.91 | 8.83V |
RMS | 25.57V | 23.52V |
Figura No. 6 Fotos de las mediciones del multimetro para el 75%P25%=VRMS2R=80.92144=45.45W
P50%=VRMS2R=602144=25W
P75%=VRMS2R=25.572144=4.54W
Figura No. 7 Medición de voltaje en la resistencia cuando el pulso esta en el 25%.
Figura No. 8 Medición de voltaje en la resistencia cuando el pulso esta en el 50%.
Figura No. 9 Medición de voltaje en la resistencia cuando el pulso esta en el 75%.
Figura No. 10 Circuito completo montaje 1
Con base al anteriorcircuito de control se realiza aislamiento galvánico y óptico para el manejo de compuerta del SCR. Se utiliza un transformador de pulsos y un opto-acoplador para dicho procedimiento.
Figura No 8 Circuito de aislamiento y atenuación de señal para la entrada al microcontrolador.
Figura No 11 Circuito de aislamiento galvánico con transformador de pulsos hacia la compuerta del SCR.
Figura No...
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