CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITALES

CIRCUITO INTEGRADOS
DIGITALES

Ing. Wilmer Naranjo

1

CARACTERISTICAS BÁSICAS DE LOS
CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITALES
¾

¾

Son una colección de resistores, diodos y
transistores fabricados sobre una pieza de
material semiconductor (generalmente silicio)
denominado sustrato y que comúnmente recibe
el nombre de circuito integrado (CI).
El CI se encuentra dentro de un encapsulado
plástico o decerámica con terminales que
permiten conectarlo con otro dispositivo.

Ing. Wilmer Naranjo

2

ENCAPSULADOS DE LOS CI
¾

Éstos difieren en la cantidad de circuitería que
contiene el sustrato de silicio.

¾

El número de conexiones externas que se
hacen con el sustrato.

¾
¾

Las condiciones del medio ambiente.
El método empleado para montar el
encapsulado sobre el sustrato del circuito.
Ing. WilmerNaranjo

3

TIPOS DE ENCAPSULADO
Los tipos de encapsulado más
comunes son:
 Encapsulado

de doble línea (DIP,
siglas de dual-in-line-package)
 Encapsulado plano de cerámica.
 Encapsulado para montaje de
superficie.
Ing. Wilmer Naranjo

4

Encapsulado de doble línea (DIP)
¾

Formado por dos hileras de terminales.

¾

Las terminales están numeradas en sentido opuesto
al avance de las manecillasdel reloj cuando se ven
por arriba, en relación con una muesca o punto que
se encuentra en uno de los extremos del
encapsulado y que sirve como identificación.
Se emplean encapsulados con 16, 20, 24, 28, 40 y
64 terminales.
Algunos DIP tienen muescas en ambos extremos.
En éstos casos la ubicación de la terminal número 1
está señalada por un pequeño punto.

¾
¾
¾

Ing. Wilmer Naranjo

5

DIBUJO DEUN DIP
¾

ENCAPSULADO DIP

Ing. Wilmer Naranjo

6

ENCAPSULADO PLANO DE CERÁMICA
¾
¾
¾
¾

Esta hecho de una base no conductora.
Inmune a los efectos de la humedad.
Aplicaciones de tipo militar.
Condiciones ambientales extremas.

ENCAPSULADO PARA MONTAJE DE
SUPERFICIE
¾
¾
¾

Sus terminales están dobladas en un ángulo recto.
Más pequeños que los DIP.
Las terminales son más pequeñas y menosrígidas.
Ing. Wilmer Naranjo

7

CLASIFICACIÓN DE ACUERDO CON LA
COMPLEJIDAD

¾
¾

Se estima por el número de compuertas lógicas
equivalentes sobre el sustrato.
En la actualidad existen 6 niveles estándar de
complejidad.

Ing. Wilmer Naranjo

8

CLASIFICACIÓN DE ACUERDO CON LA
COMPLEJIDAD
COMPLEJIDAD

# DE
TRANSISTORES

Nº DE
COMPUERTAS

Integración en pequeña
escala (SSI)

10 a 100

1 a 10

Integraciónen mediana
escala (MSI)

100 a 1000

10 a 100

Integración en gran escala
(LSI)

1000 a 10000

100 a 1000

Integración en muy alta
escala (VLSI)

10000 a 100000

1000 a 10000

Integración en ultra escala
(ULSI)

100000 a 1000000

10000 a 100000

Integración en giga gran
escala (GLSI)

Mayor a 10000000

Mayor a 1000000

Ing. Wilmer Naranjo

9

Clasificación de acuerdo con el tipo
principal decomponentes electrónicos
utilizados en su circuitería.
Se clasifica en:



Circuitos Integrados Bipolares
Circuitos Integrados Unipolares

Ing. Wilmer Naranjo

10

Circuitos Integrados Bipolares
¾

Son aquellos que están fabricados con transistores bipolares
de unión (NPN y PNP) como su principal componente de
circuito. Ej:
¾

La familia lógica TTL y ECL

Circuitos Integrados Unipolares
¾

Son losque emplean transistores unipolares de efecto de
campo (MOSFET de canal N ó P) como elemento principal. Ej:
¾

la familia lógica PMOS, NMOS y CMOS.
Ing. Wilmer Naranjo

11

PARÁMETROS DE VOLTAJE
VIH(min),Voltaje de entrada de nivel alto: Nivel de voltaje que se
requiere para un 1 lógico en una entrada. Cualquier voltaje
debajo de éste nivel no será aceptado como ALTO por el circuito
lógico.
¾VIL(max),Voltaje de entrada de nivel bajo: Nivel de voltaje que se
requiere para un 0 lógico en una entrada. Cualquier voltaje sobre
éste nivel no será aceptado como BAJO por el circuito lógico.
¾

VOH(min),Voltaje de salida de nivel alto: Nivel de voltaje en la
salida de un circuito lógico en el estado 1 lógico. Por lo general
se especifica el valor mínimo de VOH.
¾ VOL(max),Voltaje de salida de...