Circuitos Tipicos Para Receptores

8.6 CIRCUITOS TIPICOS DE RECEPTORES.
Esta sección se enfoca a amplificadores de RF e FI, circuitos AGC y AFC, y otros circuitos especiales que se encuentran en los receptores.

AMPLIFICADOTES DE ENTRADA DE RF.
La parte mas importante de un receptor de comunicaciones es la parte frontal, que por lo común consiste en el amplificador de RF, el mezclador y circuitos sintonizados relacionados,que algunas veces se llama sintonizador. Esta parte del receptor procesa la entrada de señales muy débiles , incrementa su amplitud, antes de pasarlas al mezclador, y es esencial utilizar componentes de bajo ruido para realizar una buena relación. Mas aun, la selctividad debe ser tal que elimine efectivamente las imágenes.
En muchos receptores de comunicaciones no es necesario un amplificador deRF , por ejemplo, en receptores diseñados para frecuencias debajo de 30 MHz, donde no se requiere la ganancia extra de un amplificador y su única contribución es aumentar el ruido. En estos receptores se elimina el amplificador de RF y la antena se conecta de manera directa al mezclador a traves de uno o mas circuitos sintonizados. Dichos circuitos deben proporcionar la selictividad necesariapara el rechazo de la imagen. En un receptor de este tipo el mezclador debe ser del tipo bajo ruido. Muchos mezcladores son MOSFET que proporcionan la minima contribución de ruido. Los mezcladores con transistores bipolares de bajo tuido se usan de mezcladores en CI.
La mayoría de los amplificadores de RF se emplean a frecuencias por arriba de los 100 MHz. Estos por lo común usan un solotransistor y proporcionan una ganancia en el intervalo de 10 a 30 dB. Los transistores bipolares se usan en frecuencias mas bajas mientras que VHF, UHF y frecuencias de microondas se prefieren los FET.
Es común que un amplificador de RF sea un simple circuito de clase A. La figura 8-27 muestra un circuito tipico con FET. Los circuitos con FET en particular son efectivos porque su alta impedancia deentrada minimiza la carga de los circuitos sintonizados y permite que el Q del circuito sea mas alto y la selictividad mas aguda. La mayoría de los FET también tienen una menor figura de ruido que los bipolares.
Los MESFET proporcionan alta ganancia en frecuencias altas porque los electrones viajan mas rapido en el arseniuro de galio que a traves del silicio. Tambien son los transistoresdisponibles de mas bajo ruido.


AMPLIFICADOR DE RF TIPICO USADO EN LA PARTE FRONTAL DE RECEPTORES
En frecuencias de microondas (aquellas por arriba de 1 ghz), se usan FET con semiconductor de metal o MESFET, También denominados GASFET, estos dispositivos son transistores con junta de efecto de campo hecha con aserniuro de galio (GaAs). La figura 8-28 muestra la seccion transversal de un MESFETtipico. La unión de la compuerta es una interface semiconductor metal porque esta en un diodo de portadores de alta energía Schottky. Como en otros circuitos de union FET, la polarizacion puente es inversa y el voltaje de la señal entre la fuente y la compuerta controla la conduccion de corriente entre fuente y drenaje. El tiempo real de transito de los electrones a través de aserniuro de galio esmucho mas corto que por silicio lo cual permite los MESFET alta ganancia de frecuencias muy altas.
Los MESFET tambien tienen una cantidad de ruido en extremo baja, por lo comun de 2 dB o menos. Muchos Mesfet tienen una temperatura de ruido de menos de 200 K. el funcionamiento de los GASFET es muy superior comparado con otros tipos de transistores, por lo que la mayoria de los diseñadores handejado cesar de hecho los bipolares para esta aplicación.
AMPLIFICADORES DE F.I.
Como se menciono, la mayor ganancia y selectividad en un receptor superheterodino se obtiene del amplificador de F.I. y seleccionar la F.I. correcta es importante para un buen diseño (para un analisis de los valores tipicos de F.I. vea el final de la seccion “resolviendo el problema de la imagen” que ya se presentó)....