Circuitos Transistores Bjt Practica
Páginas: 3 (613 palabras)
Publicado: 15 de julio de 2011
Práctica 6
Polarización del transistor bipolar (BJT)
Índice General
6.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2. Introducción teórica . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . 6.3. Realización práctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51 51 52
6.1. Objetivos
El objetivo de la práctica es que el alumno monte y analize elcircuito de polarización de un transistor bipolar y analizar los distintos puntos de trabajo en los que se puede situar. En particular, en el desarrollo de la práctica se trabajará con la configuraciónen emisor común del transistor bipolar identificando las diferentes regiones de funcionamiento en función de una variable independiente.
6.2. Introducción teórica
En la Figura 6.2 se representa elcircuito de polarización de un transistor bipolar en configuración de emisor común. El circuito está alimentado a 12V y dispone de una fuente de alimentación variable “Vbb ” entre emisor y base parapoder ajustar el punto de polarización del circuito. En la realización de la práctica se calculará el punto de polarización del circuito y por tanto, del transistor bipolar. Para ello se variará elvalor de la fuente de tensión Vbb entre 0 y 12V y se medirán las caí51
52
PRÁCTICA 6. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
das de tensión colector-emisor, VCE , tensión base-emisor, VBE ,y a partir de ellas se calcularán las corrientes de colector, IC , y de base, IB . Con estos valores se identificarán las distintas regiones de funcionamiento del transistor bipolar (corte, activa ysaturación) y se calcularán sus parámetros característicos VBE y β.
Vcc =12V
R1 =10KΩ
RC =1KΩ
Q1 Vbb R2 =10KΩ
Figura 6.1: Circuito de polarización del transistor BJT
6.3. Realizaciónpráctica
6.3.1. Análisis del circuito de polarización
Se debe realizar, en primer lugar, un análisis del circuito de polarización. Se deben obtener las ecuaciones que relacionan las distintas...
Polarización del transistor bipolar (BJT)
Índice General
6.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2. Introducción teórica . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . 6.3. Realización práctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51 51 52
6.1. Objetivos
El objetivo de la práctica es que el alumno monte y analize elcircuito de polarización de un transistor bipolar y analizar los distintos puntos de trabajo en los que se puede situar. En particular, en el desarrollo de la práctica se trabajará con la configuraciónen emisor común del transistor bipolar identificando las diferentes regiones de funcionamiento en función de una variable independiente.
6.2. Introducción teórica
En la Figura 6.2 se representa elcircuito de polarización de un transistor bipolar en configuración de emisor común. El circuito está alimentado a 12V y dispone de una fuente de alimentación variable “Vbb ” entre emisor y base parapoder ajustar el punto de polarización del circuito. En la realización de la práctica se calculará el punto de polarización del circuito y por tanto, del transistor bipolar. Para ello se variará elvalor de la fuente de tensión Vbb entre 0 y 12V y se medirán las caí51
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PRÁCTICA 6. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
das de tensión colector-emisor, VCE , tensión base-emisor, VBE ,y a partir de ellas se calcularán las corrientes de colector, IC , y de base, IB . Con estos valores se identificarán las distintas regiones de funcionamiento del transistor bipolar (corte, activa ysaturación) y se calcularán sus parámetros característicos VBE y β.
Vcc =12V
R1 =10KΩ
RC =1KΩ
Q1 Vbb R2 =10KΩ
Figura 6.1: Circuito de polarización del transistor BJT
6.3. Realizaciónpráctica
6.3.1. Análisis del circuito de polarización
Se debe realizar, en primer lugar, un análisis del circuito de polarización. Se deben obtener las ecuaciones que relacionan las distintas...
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