circuitos

4. EL TRANSISTOR
4.1. INTRODUCCION
Con la invención de las válvulas de vacío supuso el inicio de la ciencia
electrónica.

También se señalaron los inconvenientes de las válvulas.

Con el descubrimiento de los dispositivos semiconductores permitió el
desarrollo de nuevos ingenios. Pero la sustitución de las válvulas de
vacío no fue posible

hasta que se pudo

disponer de dispositivossemiconductores capaces de sustituir a un tipo de válvulas llamadas
Triodos. Estas válvulas eran utilizadas en todo tipo de circuitos en los
que

era necesario amplificar una señal eléctrica. Además eran parte

fundamental de los primeros ordenadores que se construyeron.
Los dispositivos semiconductores capaces de hacer esta sustitución
fueron los transistores. Aunque el primertransistor fue construido en
1947 por un equipo de físicos de los Laboratorios Bell, no fue hasta
1954 cuando la Texas Instrument inició la fabricación de transistores de
uniones de silicio con los que se inició la progresiva sustitución de las
válvulas electrónicas.
En

estas

fechas

IBM

iniciaba

la comercialización del primer

ordenador comercial (modelo 701) que disponía de 5000válvulas

y

pesaba 11 toneladas. En 1959 es IBM de nuevo quien comercializa
en su serie 7000 el primer ordenador totalmente transistorizado. Esto
supuso el inicio de la fabricación en cantidades cada vez mayores de
ordenadores que, bajo una ley inexorable, iban disminuyendo de tamaño
y precio y aumentando en capacidad y velocidad.

4.2.

EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN (BJT)

Eltransistor es el dispositivo que posee tres capas semiconductoras
con sus respectivos contactos que se denominan: Colector C, Base B y
emisor E.
La palabra bipolar se debe al hecho que internamente existen una
doble circulación de portadores de corriente: electrones y huecos.
4.3.

CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores Bipolares se clasifican en:

4.3.1. POR LADISPOSICION DE SUS CAPAS
A. Transistor PNP
B. Transistor NPN

Figura 70. Estructura de un transistor, a) PNP y b) NPN
La representación de un transistor de unión se representa en

las

figuras siguientes. En ellas, el extremo que contiene la flecha siempre
representa al emisor. La flecha sigue el criterio de representación de
los diodos: parte del lado P y termina en el N. De este modo sedistingue
según el dibujo si el transistor es PNP ó NPN.

Figura 71. Símbolo de un transistor PNP y NPN

4.3.2. POR EL MATERIAL SEMICONDUCTOR EMPLEADO
A. Transistores de Silicio
B. Transistores de Germanio
4.3.3. POR LA DISIPACION DE POTENCIA
A. Transistores de Baja Potencia
B. Transistores de Mediana Potencia
C. Transistores de Alta Potencia
El encapsulado de los transistores es
siemprepodemos distinguir

en

ellos

los

muy
tres

diverso,

aunque

terminales.

El

encapsulado es diferente para los transistores de pequeña, de media
y de alta potencia.

Figura 72. Transistor por disipación de potencia
4.4. IDENTIFICACION DE TERMINALES
Con un multímetro digital en la escala diodo

haga lo siguiente:

a) enumere las patitas al azar

Figura 73.Terminales de un transistor

b) mida con el multímetro, 1-2, 1-3, 2-1, 2-3, hasta obtener dos lecturas
de baja resistencia con un punto común.
c) El punto común viene a ser la BASE del transistor.
d) Para ubicar el contacto de COLECTOR. De las dos lecturas de baja
resistencia, seleccione la menor. La diferencia es de solamente
algunos ohmios.
e) El contacto restante será la conexión de EMISOR.4.5.

IDENTIFICACION DEL TIPO DE TRANSISTOR
Con las mediciones anteriores observamos la polaridad del terminal
que le correspondió a la BASE.
Si a la BASE le correspondió el polo positivo del multímetro, entonces
es un transistor NPN.
Si a la base le correspondió el polo negativo del multímetro, entonces
es un transistor PNP.

4.6.

CORRIENTES DE UN TRANSISTOR

IE =IB + IC...