circuittos integrados
Páginas: 10 (2427 palabras)
Publicado: 2 de noviembre de 2013
INTRODUCCIÒN:
Como todos sabemos los Circuitos Integrados son unos pequeños circuitos electrónicos fabricados con una función específica como pueden ser: Operaciones Aritméticas, funciones lógicas, amplificación, codificación, decodificación, controladores, etc.
Estos Circuitos Integrados por lo general se combinan para formar sistemas mucho mas complejos que pueden serdesde una calculadora, un reloj digital, un videojuego, hasta una computadora, etc.
Se fabrican mediante la difusión de impurezas en silicio monocristalino, que sirve como material semiconductor, o mediante la soldadura del silicio con un haz de flujo de electrones.
La característica más notable de un Circuito Integrado es su tamaño; ya que puede contener 275, 000 transistores, además deuna multitud de otros componentes como son transistores, diodos, resistencias, condensadores y alambres de conexión, y medir desde menos de un centímetro a poco más de tres centímetros.
Otra de las características de los circuitos integrados es que rara vez se pueden reparar; es decir si un solo componente de un circuito integrado llegara a fallar, se tendría que cambiar la estructuracompleta; esto se debe al tamaño diminuto y los miles de componentes que poseen.
OBJETIVOS GENERALES:
Al finalizar el curso el estudiante deberá ser capaz de:
Comprender el funcionamiento y utilidad de circuitos y funciones integradas modernas.
Aplicar los conceptos estudiados a diseños de equipo electrónico.
Interpretar correctamente las especificaciones decircuitos y funciones
integradas modernas.
Diseñar equipos electrónicos de mediana complejidad usando circuitos y
funciones integradas modernas.
MATERIAS PRIMAS DE FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS Y DEMAS ELEMENTOS ELECRONICOS
Los Circuitos Integrados están hechos por silicio que sirve como base donde se fabrican transistores, diodos yresistencias. Los circuitos Integrados contienen cientos de estos componentes distribuidos de manera ordenada; esto se logra por medio de la técnica llamada fotolitografía la cual permite ordenar miles de componentes en una pequeña placa de silicio.
PASOS GENERALES DE FABRICACION DE UN CIRCUITO INTEGRADO:
Los pasos de fabricación básica se pueden realizar muchas veces, en diferentes combinaciones y endiferentes condiciones de procedimiento durante un turno de fabricación completo.
Preparación de la oblea:
El material inicial para los circuitos integrados modernos es el silicio de muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro sólido de color gris acero de 10 a 30 cm de diámetro y puede ser de 1 m a 2 m de longitud. Este cristal se rebana para producir obleas circulares de 400 μm a600 μm de espesor, (1 μm es igual a 1×10-6 metros). Después, se alisa la pieza hasta obtener un acabado de espejo, a partir de técnicas de pulimento químicas y mecánicas. Las propiedades eléctricas y mecánicas de la oblea dependen de la orientación de los planos cristalinos, concentración e impurezas existentes. Para aumentar la resistividad eléctrica del semiconductor, se necesita alterar laspropiedades eléctricas del silicio a partir de un proceso conocido como dopaje. Una oblea de silicio tipo n excesivamente impurificado (baja resistividad) sería designada como material n+, mientras que una región levemente impurificada se designaría n-.
Oxidación:
Se refiere al proceso químico de reacción del silicio con el oxígeno para formar Dióxido de Silicio (SiO2). Para acelerar dicha reacciónse necesitan de hornos ultralimpios especiales de alta temperatura. El Oxígeno que se utiliza en la reacción se introduce como un gas de alta pureza (proceso de “oxidación seca”) o como vapor (“oxidación húmeda”). La Oxidación húmeda tiene una mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidación seca produce mejores características eléctricas. Su constante dieléctrica es 3.9 y se le puede utilizar...
INTRODUCCIÒN:
Como todos sabemos los Circuitos Integrados son unos pequeños circuitos electrónicos fabricados con una función específica como pueden ser: Operaciones Aritméticas, funciones lógicas, amplificación, codificación, decodificación, controladores, etc.
Estos Circuitos Integrados por lo general se combinan para formar sistemas mucho mas complejos que pueden serdesde una calculadora, un reloj digital, un videojuego, hasta una computadora, etc.
Se fabrican mediante la difusión de impurezas en silicio monocristalino, que sirve como material semiconductor, o mediante la soldadura del silicio con un haz de flujo de electrones.
La característica más notable de un Circuito Integrado es su tamaño; ya que puede contener 275, 000 transistores, además deuna multitud de otros componentes como son transistores, diodos, resistencias, condensadores y alambres de conexión, y medir desde menos de un centímetro a poco más de tres centímetros.
Otra de las características de los circuitos integrados es que rara vez se pueden reparar; es decir si un solo componente de un circuito integrado llegara a fallar, se tendría que cambiar la estructuracompleta; esto se debe al tamaño diminuto y los miles de componentes que poseen.
OBJETIVOS GENERALES:
Al finalizar el curso el estudiante deberá ser capaz de:
Comprender el funcionamiento y utilidad de circuitos y funciones integradas modernas.
Aplicar los conceptos estudiados a diseños de equipo electrónico.
Interpretar correctamente las especificaciones decircuitos y funciones
integradas modernas.
Diseñar equipos electrónicos de mediana complejidad usando circuitos y
funciones integradas modernas.
MATERIAS PRIMAS DE FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS Y DEMAS ELEMENTOS ELECRONICOS
Los Circuitos Integrados están hechos por silicio que sirve como base donde se fabrican transistores, diodos yresistencias. Los circuitos Integrados contienen cientos de estos componentes distribuidos de manera ordenada; esto se logra por medio de la técnica llamada fotolitografía la cual permite ordenar miles de componentes en una pequeña placa de silicio.
PASOS GENERALES DE FABRICACION DE UN CIRCUITO INTEGRADO:
Los pasos de fabricación básica se pueden realizar muchas veces, en diferentes combinaciones y endiferentes condiciones de procedimiento durante un turno de fabricación completo.
Preparación de la oblea:
El material inicial para los circuitos integrados modernos es el silicio de muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro sólido de color gris acero de 10 a 30 cm de diámetro y puede ser de 1 m a 2 m de longitud. Este cristal se rebana para producir obleas circulares de 400 μm a600 μm de espesor, (1 μm es igual a 1×10-6 metros). Después, se alisa la pieza hasta obtener un acabado de espejo, a partir de técnicas de pulimento químicas y mecánicas. Las propiedades eléctricas y mecánicas de la oblea dependen de la orientación de los planos cristalinos, concentración e impurezas existentes. Para aumentar la resistividad eléctrica del semiconductor, se necesita alterar laspropiedades eléctricas del silicio a partir de un proceso conocido como dopaje. Una oblea de silicio tipo n excesivamente impurificado (baja resistividad) sería designada como material n+, mientras que una región levemente impurificada se designaría n-.
Oxidación:
Se refiere al proceso químico de reacción del silicio con el oxígeno para formar Dióxido de Silicio (SiO2). Para acelerar dicha reacciónse necesitan de hornos ultralimpios especiales de alta temperatura. El Oxígeno que se utiliza en la reacción se introduce como un gas de alta pureza (proceso de “oxidación seca”) o como vapor (“oxidación húmeda”). La Oxidación húmeda tiene una mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidación seca produce mejores características eléctricas. Su constante dieléctrica es 3.9 y se le puede utilizar...
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