Cmos

tto
cmos y procesos de fabricación

fundamentos fisicos y tecnologicos de la informatica

INDICE

1-. FABRICACIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS
PROCESOS TECNOLÓGICOS

2-. APLICACIONES ACTUALES DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS

3-. ESQUEMAS DE LAS ESTRUCTURAS LÓGICAS DE LAS PUERTAS CMOS NAND Y NOR DE DOS ENTRADAS. FUNCIONAMIENTO

FABRICACIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS
PROCESOSTECNOLÓGICOS

El proceso de fabricación de circuitos integrados cMos está orientado a la fabricación de transistores Mosfet de canal N y P.
El material con el que se parte en estos procesos de fabricación es la oblea de silicio de tipo p, poco dopado.

1-. Para comenzar la fabricación de éstos, el primer proceso que se realiza es el dopado de los pozos:

Para poder realizar este proceso debemostener en cuenta los siguientes pasos:

* Oxidación
* Litografía
* Aperturas de ventanas en el óxido
* Eliminación de fotoresist
* Difusión e implantación iónicas de impurezas donadoras
* Eliminación del óxido


2-. Posteriormente, para continuar con este proceso de fabricación debemos realizar la definición de las zonas activas:

* El óxido de campo será gruesoy de pasivación.
* El óxido de puerta será fino y de zona activa.
* Los pasos principales en este proceso son: oxidación, litografía, oxidación.

3-. A continuación entraremos en el proceso de deposición del polisilicio:

* El polisilicio es el electrodo de puerta de ambos tipos de transistores.
* Los pasos principales en este proceso son: deposición de polisilicio, litografía,etching del polisilicio.

4-. Continuaremos con la implantación de N+:

* El polisilicio y el fotoresist sirven de máscara para la implantación
* Se fabrican las fuentes y los drenadores de los transistores de canal N y los contactos al sustrato (pozo) de los transistores de canal P.
* Los pasos principales aquí son: litografía, implantación de átomos donadores (As, P...)

5-.El siguiente proceso es la implantación de P+:

* El polisilicio y el fotoresist sirven de máscara para la implantación nuevamente.
* Se fabrican las fuentes y los drenadores de los transistores de canal P y los contactos al sustrato de los transistores de canal N.
* Los principales pasos en este proceso son: litografía y implantación de átomos aceptores (B, Al...)
6-. A continuación,para casi finalizar el proceso se realiza la apertura de contactos y capa de metal 1:

* Los pasos principales son: deposición de óxido, litografía, apertura de contactos, deposición de metal, litografía, etching del metal.
* La capa de metal 1 puede hacer contacto con el silicio (que son las fuentes, los drenadores y los sustratos) y con el polisilicio (que son las puertas)
* Loscontactos se hacen mediante ventanas cuadradas de tamaño fijo que se conectan en paralelo.

7-. Por último se realiza la apertura de vías y capa de metal 2:

* Los pasos principales son: deposición de óxido, litografía, apertura de contactos, deposición de metal, litografía, etching de metal.
* La capa de metal 2 hace contacto con la de metal 1 a través de Vias.
* Las vias se hacenmediante ventanas cuadradas de tamaño fijo que se conectan en paralelo.
APLICACIONES ACTUALES DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS

En la actualidad se considera una pieza esencial en los aparatos electrónicos.
Los ordenadores, comúnmente llamados computadoras o PCs, utilizan esta característica de los Circuitos Integrados ya que todas las funciones lógicas y aritméticas de una computadora puedenser procesadas por un solo chip a gran escala llamado Microprocesador o cerebro de la computadora.
Las funciones de los circuitos integrados son muy variadas; ya que son utilizados en la mayoría de los aparatos electrónicos que existen y estas pueden variar mucho de acuerdo con la finalidad con la que fueron creados dichos circuitos. A continuación se presentaran algunos de los usos de los...