cmos

Inversion [ edit ]





Estática CMOS inversor
Circuitos CMOS se construyen de una manera tal que todos los transistores PMOS deben tener ya sea una entrada procedente de la fuente de tensión o de otro transistor PMOS. Del mismo modo, todos los transistores NMOS deben tener ya sea una entrada desde el suelo o desde otro transistor NMOS. La composición de un transistor PMOS crea bajaresistencia entre los contactos de fuente y drenaje cuando una baja puerta de voltaje se aplica y de alta resistencia cuando se aplica un voltaje alto de puerta. Por otra parte, la composición de un transistor NMOS crea alta resistencia entre la fuente y de drenaje cuando se aplica un voltaje bajo de puerta y una baja resistencia cuando se aplica una tensión alta puerta. CMOS logra reducción de lacorriente por cada nMOSFET complementando con un pMOSFET y la conexión de ambas puertas y ambos desagües juntos. Un alto voltaje en las puertas hará que el nMOSFET para llevar a cabo y la pMOSFET de no realizar, mientras que un bajo voltaje en las puertas hace que a la inversa. Esta disposición reduce considerablemente el consumo de energía y la generación de calor. Sin embargo, durante el tiempo deconmutación ambos MOSFETs realizan brevemente como el voltaje de la puerta pasa de un estado a otro. Esto induce un breve repunte en el consumo de energía y se convierte en un problema grave en las frecuencias altas.

La imagen de la derecha muestra lo que ocurre cuando una entrada está conectada a la vez un transistor PMOS (parte superior de la figura) y un transistor NMOS (parte inferior delgráfico). Cuando la tensión de entrada A es baja, el canal del transistor NMOS está en un estado de alta resistencia. Esto limita la corriente que puede fluir desde Q a tierra. El canal del transistor PMOS está en un estado de resistencia baja y mucho más corriente puede fluir desde el suministro a la salida. Debido a que la resistencia entre la tensión de alimentación y Q es baja, la caída detensión entre la tensión de alimentación y Q debido a una corriente extraída de Q es pequeña. Por consiguiente, la salida registra un alto voltaje.

Por otro lado, cuando la tensión de entrada A es alta, el transistor PMOS está en una posición OFF (alta resistencia) estado por lo que limita la corriente que fluye desde la alimentación positiva a la salida, mientras que el transistor NMOS está enun EN ( baja resistencia) del estado, lo que permite la salida del drenaje a la tierra. Debido a que la resistencia entre Q y suelo es baja, la caída de tensión debido a una corriente consumida en Q Q colocación sobre el suelo es pequeña. Esta baja caída como resultado la salida de registrarse una baja tensión.

En resumen, las salidas de los transistores PMOS y NMOS son tales complementaria quecuando la entrada es baja, la salida es alta, y cuando la entrada es alta, la salida es baja. Debido a este comportamiento de entrada y salida, la salida de los circuitos CMOS 'es la inversa de la entrada.

Las fuentes de alimentación de CMOS se denominan V DD y V SS, o V CC y de tierra (GND), dependiendo del fabricante. V DD y V SS son remanentes de los circuitos MOS convencionales y secoloquen para el desagüe y los suministros de origen. [5] Estos no se aplican directamente a CMOS, ya que ambos son realmente suministros suministros de origen. V CC y de tierra son los remanentes de la lógica TTL y que la nomenclatura se ha mantenido con la introducción de la línea de 54C/74C del CMOS.

Dualidad [ edit ]

Una característica importante de un circuito CMOS es la dualidad queexiste entre sus transistores PMOS y transistores NMOS. Se crea un circuito de CMOS para permitir un camino siempre que exista de la salida ya sea a la fuente de energía o de tierra. Para lograr esto, el conjunto de todas las rutas de acceso a la fuente de tensión debe ser el complemento del conjunto de todas las trayectorias a tierra. Esto se puede lograr fácilmente mediante la definición de uno en...