CMOS
Páginas: 4 (922 palabras)
Publicado: 13 de mayo de 2014
FET
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres terminales: FUENTE (Source), DRENAJE (Drain) y PUERTA (Gate) que trabajan controlando la corriente entre drenaje y fuentea través del campo eléctrico establecido mediante la tensión aplicada al terminal de puerta.
El terminal de puerta, que funciona como terminal de control, no maneja virtualmente corriente,salvo alguna corriente de fuga. El dispositivo presenta, en consecuencia, una elevada impedancia de entrada (puede llegar a valores del orden de 10 MΩ) que resulta esencial en variadas aplicaciones comoser: llaves analógicas, amplificadores de muy alta impedancia de entrada, etc. Son muy utilizados, también, como resistencias controladas por tensión y fuentes de corriente.
Algunos tipos de FETpresentan facilidades en cuanto a su integración en áreas pequeñas y se utilizan especialmente en altas escalas de integración (LSI o VLSI), con un amplio desarrollo para circuitos digitales(microprocesadores, memorias, etc.) y un permanente avance en su utilización en circuitos integrados de aplicación analógica.
Teniendo en cuenta que pueden llegar a manejar más de 10 A de corrientese utilizan en diversas aplicaciones en reemplazo del transistor bipolar, dando un alto rendimiento en circuitos relativamente simples.El FET es un dispositivo cuyo funcionamiento puede ser asimiladoal de una fuente de corriente controlada por tensión y presenta las siguientes características:
Es un dispositivo unipolar, tiene un único tipo de portadores.
Presenta alta impedancia deentrada. La corriente de entrada es prácticamente nula (IG).
Tiene un bajo producto ganancia-ancho de banda.
Es de fácil fabricación e integración.
En principio son dispositivos simétricos, o seabidireccionales, no hay distinción entre los terminales de drenaje y fuente, salvo por el sentido de circulación de corriente. Se toma como convención que la corriente es positiva cuando circula...
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres terminales: FUENTE (Source), DRENAJE (Drain) y PUERTA (Gate) que trabajan controlando la corriente entre drenaje y fuentea través del campo eléctrico establecido mediante la tensión aplicada al terminal de puerta.
El terminal de puerta, que funciona como terminal de control, no maneja virtualmente corriente,salvo alguna corriente de fuga. El dispositivo presenta, en consecuencia, una elevada impedancia de entrada (puede llegar a valores del orden de 10 MΩ) que resulta esencial en variadas aplicaciones comoser: llaves analógicas, amplificadores de muy alta impedancia de entrada, etc. Son muy utilizados, también, como resistencias controladas por tensión y fuentes de corriente.
Algunos tipos de FETpresentan facilidades en cuanto a su integración en áreas pequeñas y se utilizan especialmente en altas escalas de integración (LSI o VLSI), con un amplio desarrollo para circuitos digitales(microprocesadores, memorias, etc.) y un permanente avance en su utilización en circuitos integrados de aplicación analógica.
Teniendo en cuenta que pueden llegar a manejar más de 10 A de corrientese utilizan en diversas aplicaciones en reemplazo del transistor bipolar, dando un alto rendimiento en circuitos relativamente simples.El FET es un dispositivo cuyo funcionamiento puede ser asimiladoal de una fuente de corriente controlada por tensión y presenta las siguientes características:
Es un dispositivo unipolar, tiene un único tipo de portadores.
Presenta alta impedancia deentrada. La corriente de entrada es prácticamente nula (IG).
Tiene un bajo producto ganancia-ancho de banda.
Es de fácil fabricación e integración.
En principio son dispositivos simétricos, o seabidireccionales, no hay distinción entre los terminales de drenaje y fuente, salvo por el sentido de circulación de corriente. Se toma como convención que la corriente es positiva cuando circula...
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