Compilacion De Publicaciones Referentes Al Grafeno

3.2 GRAFENO EN EL MUNDO
En este apartado nos daremos el espacio de describir los acontecimientos mas importantes en cuanto al desarrollo y evolución del grafeno, tal y como fueron informados por los medios de comunicación masivos.
IBM presenta su primer circuito integrado de grafeno
12 junio, 2011
Investigadores de IBM han construido el primer circuito integrado con transistores de esterevolucionario material, que permitirá fabricar microprocesadores, sensores y sistemas de comunicación mucho más veloces que los actuales.
“Es un hito importante. Supone el primer paso para demostrar que ya podemos fabricar circuitos integrados de grafeno. Y de la misma manera en que se fabrican los de silicio, porque el mismo proceso sirve para ambos materiales. El próximo paso será fabricar el chipde grafeno”, asegura Elisa Martín Garijo, directora de Tecnología e Innovación de IBM en España. Aunque este circuito integrado de grafeno ha sido creado en laboratorio y su capacidad de cálculo todavía es limitada, explica Martín Garijo, “ya se puede utilizar en sensores, dispositivos móviles y pantallas”.
El circuito integrado está construido sobre una oblea de carburo de silicio y se componede transistores de efecto de campo (FET) (Field Effect Transistor) hechos de grafeno, un conductor muy delgado y con una composición alta de carbono que se resume en una sola capa atómica de espesor. El circuito integrado también incluye estructuras metálicas, tales como inductores y los electrodos drenaje y fuente (Drain y Source) que conectan a los transistores de grafeno dentro del IC. Losinvestigadores comentan, en la edición de esta semana de la revista Science, que el grafeno tiene el potencial para hacer transistores que sean capaces de funcionar a velocidades del orden de los Terahertz y que podrían en un futuro, no muy lejano, reemplazar al silicio como base para los microprocesadores utilizados en ordenadores. Hasta el momento, muchos han sido los equipos de investigación que hanconstruido transistores de grafeno. De hecho, el equipo de IBM, el año pasado mostró un desarrollo que operaba a 100GHz, esto es, más del doble de rápido que un transistor de silicio de dimensiones comparables.
Uno de los científicos que participa en la investigación, Keith Jenkins señala “un transistor por sí mismo, no es bueno ni útil a menos que se lo conecte a algo” y en este caso, elcircuito logrado y construido es un mezclador de frecuencias radioeléctricas de banda ancha. Este es un componente fundamental de las radios que procesa las señales para encontrar la diferencia entre dos longitudes de onda de alta frecuencia, es decir, una frecuencia intermedia. Aquellos amigos que siguen los montajes de NeoTeo, conocen este tipo de circuitos dentro de lo que es la arquitectura de unreceptor superheterodino. El dispositivo logrado, que es una prueba de concepto, no pretende ser considerado aún un componente comercial óptimo y sólo alcanza frecuencias de hasta 10 GHz. “En última instancia, debemos ser capaces de ir mucho más rápido, este no es nuestro límite en absoluto”, afirma Jenkins.
El investigador agregó que la tarea más compleja fue la integración del transistor FET degrafeno con los demás componentes dentro del circuito. Esto fue un desafío de ingeniería muy complejo, que tomó cerca de un año, debido a dos dificultades principales. Una es que los metales utilizados para la construcción de otras partes del circuito (aluminio, oro, paladio, etc.) no se adhieren muy bien a la grafeno. El otro escollo es el hecho de que el grafeno, siendo sólo de un átomo deespesor, se daña fácilmente con los procesos estándares de grabado de semiconductores. De todos modos, una de las características notables del modelo alcanzado es que el rendimiento del dispositivo no cambia demasiado cuando la temperatura varía entre 27°C y 127°C. Eso significa que un circuito integrado de grafeno no tendrá que ser sobre-dimensionado para compensar los cambios de temperatura y que de...