Componentes del Circuito Integrado
















MOSFET
Se prefiere el MOSFET canal n al MOSFET canal p. La movilidad de la superficie de electrones del dispositivo de canal n es de dos a cuatro veces más alta a lade los huecos. Este transistor ofrece una corriente más alta y una resistencia baja; así como una transconductancia más alta. Su diseño se caracteriza por su voltaje de umbral y sus tamaños dedispositivos, en general, los MOSFET (tipo n o p) se diseñan para que tengan voltajes de umbral de magnitud similar para un proceso particular; por lo tanto, los circuitos MOSFET son mucho más flexibles ensu diseño.
Resistencias
Las regiones de distinta difusión tienen diferente resistencia. El pozo en en general se utiliza para resistencias de valor medio, mientras que las difusiones n+ y p+ sonútiles para resistencias de valor bajo. Cuando se diseña un valor real de una resistencia se hace a través del cambio de la longitud y el ancho de las regiones difundidas. Todas las resistenciasdifundidas están autoaisladas por las uniones pn polarizadas a la inversa. Sin embargo una desventaja es que están acompañadas por una sustancial capacitancia parásita de unión que los hace no muy útilesen el uso de frecuencias altas. Además, es posible que exista una variación en el valor real de la resistencia cuando se aumenta el voltaje debido a un efecto llamado JFET. Para obtener un valor másexacto, se recomienda que se fabrique con una capa de polisilicio que se coloca encima del grueso campo de Óxido.
Condensadores
Existen 2 tipos de estructura de condensador en los procesos CMOS,condensadores MOS y de interpolietileno. La capacitancia de compuerta MOS es básicamente la capacitancia de compuerta a fuente de un MOSFET, la cual depende del área de dicha compuerta; estecondensador exhibe una gran dependencia del voltaje, para eliminar este problema, se requiere un implante n+ adicional para formar la placa inferior de los condensadores. Estos dos condensadores MOS están...