Composicion quimica de elementos electronicos

COMPOSICION QUIMICA DEL DIODO
Configuración de Base Común
Para la configuración de base común con transistores PNP y npn. La terminología de la base común se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración. A su vez, por lo regular la base es la terminal más cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de este trabajotodas las direcciones de corriente harán referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo convencional) a través del dispositivo.
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores de basecomún se requiere de dos conjuntos de características, uno para el punto de excitación o parámetros de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base común relacionará la corriente de entrada (IE). El conjunto de características de la salida o colector tiene tres regiones básicas de interés: las regiones activa, de corte y de saturación. La regiónactiva es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsión). En particular:
En la región activa la unión base - colector se polariza inversamente, mientras que la unión emisor - base se polariza directamente.
La región activa se define mediante los arreglos de polarización de la figura 4.17. En el extremo más bajo de la región activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esaes la verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturación inversa ICO, como lo señala la figura 4.18.
La corriente ICO real es tan pequeña (micro amperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuración de base común se muestra en la figura 4.19. La notación que con más frecuencia seutiliza para ICO en los datos y las hojas de especificaciones es, como se indica en la figura 4.19, ICBO.
Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación, el nivel de ICBO para los transistores de propósito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO,así como Is, para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rápidamente con la temperatura.
En la región de corte, tanto la unión base - colector como la unión emisor - base de un transistor tienen polarización inversa.
En la región de saturación, tantola unión como el emisor - base están en polarización directa.
COMPOSICION QUIMICA DE
UN DIODO LASER DE ESTADO SÓLIDO
El funcionamiento del diodo láser lo determinan su composición química y su geometría.
Todos los diodos son, en esencia, estructuras de varias capas, formadas por varios tipos diferentes de material semiconductor. Los materiales son contaminados con impurezas por medio dequímicos, para darles ya sea un exceso de electrones (Tipo N) o un exceso de vacantes de electrones (Tipo P).
Los diodos láser que emiten en la región 0.78 a 0.9 micrón, están formados por capas de arseniuro de galio (GaAs) y arseniuro de aluminio y galio (ALGaAs) desarrollado sobre un subestrato de GaAs. Los dispositivos para longitud de onda mayor, que emiten a 1.3 a 1.67 micrones, se fabrican concapas de arseniuro fosfuro de indio y galio (InGaASP) y fosfuro de indio (InP), desarrollado sobre un subestrato de InP.

La ilustración muestra las características estructurales comunes a todos los diodos láser de onda continua (OC). La base del diodo es un subestrato formado por GaAs o InP, tipo N, con alta impurificación. Sobre la parte superior del subestrato, y a manera de descubrimiento,...