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Semiconductores Comunes
En cuanto se inician los estudios de electricidad se ha de aprender enseguida lo que es el concepto de la resistencia eléctrica, es decir esa dificultad que oponen todos los cuerpos a ser atravesados por la corriente eléctrica. Así cuerpos como el cobre, la plata, el tungsteno, etcétera, tienen una resistividad muy baja. Estos materiales son llamados buenos materiales.Por el contrario existen otros cuerpos que ofrecen una elevada resistencia a dejarse atravesar por la corriente eléctrica, como el vidrio, el plástico, la baquelita, etc.
En un lugar entre estos dos casos se encuentran los materiales semiconductores. Los más conocidos y utilizados son el germanio(Ge) y el silicio(Si), los materiales que estén fabricados con Ge o Si darán 50 veces más resistenciaque los conductores, pero a su ves y más aislantes que los que no son conductores. Entonces los semiconductores son malos conductores, pero al mismo tiempo son malos aislantes

Diodos
Antes de pasar a definir el diodo y su utilización en el campo de la electrónica, es imprencidible aprender sus componentes. Conocemos a los semiconductores como malos conductores de la corriente eléctrica,precisamente por la dificultad a dejarse arrebatar electrones en virtud de su enlace covalente. Pero, ¿qué ocurre si introducimos entre ellos impurezas en su constitución colocando unos pocos átomos extraños que tengan 5 electrones de valencia, o bien 3 electrones de valencia? Podemos encontrar elementos de estas características, tales como el arsenio (As), el antimonio (Sb), el fósforo (P), los cuealestienen 5 electrones de valencia. Y los de 3 electrones, tales como el Indio (In), el Galio (Ga) y el aluminio (Al).
Cristal N: Introduciendo unos átomos de arsenio sobre la estructura atómica del germanio, lo cual se llama dopado, la estructura resultante queda del modo que el átomo de arsenio se integra dentro de la unión covalente de los átomos de germanio, pero el electrón sobrante ahora notiene cabida en el sistema, de modo que queda como electrón libre. Si ahora aplicamos a uno y otro extremo del material, se establecerá una vía de paso de los electrones desde el polo negativo al positivo, de modo que el cristal se hace conductor. A este tipo de cristal se le denomina conductor N, y al cristal que lo formacristal N o de tipo N.
Cristal P: Pondemos hacer otra conbinación que va aconsistir en la introducción de la impureza a base de utilizar unos átomos que dispongan solamente de 3 electrones de valencia. Si dopamos el material con Indio, por ejemplo, y éste entra a formar parte de la estructura del cristal , habrá un átomo que tendrá su órbita exterior compartida solamente 7 electrones y ello provocará la inestabilidad del conjunto, pero en ves de quedarse con un electrónmás, queda con alguna parte del cristal hay un hueco que algún electrón ha de llenar. Ocurre que por la naturaleza de los átomos, el átomo que tiene el huecosuele quedarse con el electrón más próximo que quede a su alcanze, y que en ese caso el otro átomo se quede sin electrón y a consecuencia de que esta situación se efectúa a gran velocidad, se podría hablar de un hueco que está constantementedesplazándose por todo el cristal. De esta manera el cristal resulta positivo(de tipo P) porque si le aplicamos una fuente de alimentación, se establecerá una circulación de huecos del polo positivo al negativo, es decir, los electrones habrán encontrado la vía de los huecos para atravesar todo el cristal.
Cuando unimos un cristal P con un cristal N, estamos creado un elemento de enormeimportancia en la electrónica: el Diodo
En efecto: supongamos que tomamos una pieza de germanio y dopamos un extremo del mismo con indio, creando unos huecos en las órbitas de sus electrones exteriores. El extremo opuesto de esta pieza se dopa con arsenio de modo que se crea un exceso de electrones, así se forma la parte de cristal P y la parte de cristal N. En la parte central se mantiene el material...