Comunicaciones

COMPONENTES PASIVOS
Fijos
RESISTORES

Variables
Termistores

CONDENSADORES
CLASIFICACIÓN
INDUCTORES O BOBINAS
TRANSFORMADORES

CONDENSADORES
4CONDENSADOR:
Componente constituido por dos conductores separados por un
material dieléctrico, y diseñado para presentar una capacidad entre
los conductores.
Dieléctrico

Placas
conductoras
A

B

Terminales

1

4DIELÉCTRICOTodos los dieléctricos son aislantes pero no al revés.
Un dieléctrico es un material no conductor (aislante) que es posible
polarizar => formación de dipolos eléctricos.
4DIPOLO ELÉCTRICO
Formado por el desplazamiento de unas cargas respecto de otras
dentro de los átomos.
Sin aplicar E
+
_

+
_

+
_

Aplicando E
E

+
_

_
_

Centro de gravedad de las
cargas + y - coinciden+
+

_
_

+
+

Dipolos

4CAPACIDAD
Propiedad física que presentan los condensadores de almacenar carga
eléctrica cuando se aplica una tensión entre los conductores.

Q
C = ( F)
V
I =C⋅

donde

C en Faradios
Q en Culombios
V en Voltios

dV
dt

La unidad de capacidad es el Faradio, pero no se usa por ser demasiado
elevada. En general las unidades que se usanhabitualmente son:
picofaradio (pF) = 10-12 F
nanofaradio (nF) = 10-9 F
microfaradio (µF) = 10-6 F

2

4DIELÉCTRICO
Todos los dieléctricos son aislantes pero no al revés.
Un dieléctrico es un material no conductor (aislante) que es posible
polarizar => formación de dipolos eléctricos.
4DIPOLO ELÉCTRICO
Formado por el desplazamiento de unas cargas respecto de otras
dentro de los átomos.
Sinaplicar E
+
_

+
_

+
_

Aplicando E
E

+
_

_
_

Centro de gravedad de las
cargas + y - coinciden

+
+

_
_

+
+

Dipolos

4CAPACIDAD
Propiedad física que presentan los condensadores de almacenar carga
eléctrica cuando se aplica una tensión entre los conductores.

Q
C = ( F)
V
I =C⋅

donde

C en Faradios
Q en Culombios
V en Voltios

dV
dt

Launidad de capacidad es el Faradio, pero no se usa por ser demasiado
elevada. En general las unidades que se usan habitualmente son:
picofaradio (pF) = 10-12 F
nanofaradio (nF) = 10-9 F
microfaradio (µF) = 10-6 F

2

4CONDENSADOR PLANO
Constituido por placas conductoras planas de superficie S separadas
una distancia d.

S
A

B

d

S
S
= εr ⋅ ε0 ( F)
d
d
ε = εr ⋅ ε0
C=ε

ε0= 8,854⋅10-14 F/cm

S: Sección de las placas conductoras
d: Distancia entre placas
ε: Permitividad del dieléctrico
εr: Permitividad relativa del dieléctrico
ε0: Permitividad del vacío

εr = 1 ÷ 12.000 (cerámicas de titanato de bario)

CARACTERÍSTICAS
4SIMBOLOGÍA

ZC =

1
1
=−j
j ⋅ω ⋅ C
ω ⋅C

Filtrado (f=0 => ZC = ∞)
Acoplo y desacoplo

4RESISTENCIA DE AISLAMIENTO
Valorresistivo que caracteriza al dieléctrico.
Normalmente Ri > 104 MΩ.

Ri =

VC
IF

3

4CONDENSADOR PLANO
Constituido por placas conductoras planas de superficie S separadas
una distancia d.

S
A

B

d

S
S
= εr ⋅ ε0 ( F)
d
d
ε = εr ⋅ ε0
C=ε

ε0 = 8,854⋅10-14 F/cm

S: Sección de las placas conductoras
d: Distancia entre placas
ε: Permitividad del dieléctrico
εr:Permitividad relativa del dieléctrico
ε0: Permitividad del vacío

εr = 1 ÷ 12.000 (cerámicas de titanato de bario)

CARACTERÍSTICAS
4SIMBOLOGÍA

ZC =

1
1
=−j
j ⋅ω ⋅ C
ω ⋅C

Filtrado (f=0 => ZC = ∞)
Acoplo y desacoplo

4RESISTENCIA DE AISLAMIENTO
Valor resistivo que caracteriza al dieléctrico.
Normalmente Ri > 104 MΩ.

Ri =

VC
IF

3

4CORRIENTE DE FUGAS
Corriente quepasa a través de la resistencia de aislamiento. IF < 1nA
Supone la existencia de pérdidas. Idealmente no disipa potencia
4PERDIDAS
Potencia disipada por el condensador. Factor de pérdidas => D = tg δ
I
Idealmente
δ=0
I

+V

_

Realmente

I
+

δ

π/2

I

_
V

π/2 - δ

V
V
D = tg δ -> Depende de la frecuencia y la temperatura
Factor de calidad ≡ Q= 1/D

4CONSTANTE DE...