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APUNTE: CONFIGURACIONES DEL TRANSITOR

Área de EET

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INDICE
Configuración del Transistor...………………………………………………
Base Común.................………………………………………………………
Configuración de Emisor Común....…………………………………………Configuración de Colector Común.…………………………………………
Limites de Operación del Transistor.................……………………………
Punto de Operación Q o Punto Quiescente.....……………………………
Calculo de Punto Operación Q………………………………………………

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CONFIGURACIONES DEL TRANSITOR
a) Base Común
La terminología relativa a base común se desprende del hecho deque la base es
común a los lados de entrada y salida de la configuración. Además, la base es
usualmente la terminal más cercana o en un potencial de tierra como se muestra
en la figura 11 con transistores pnp y npn.. Esta figura indica además los sentidos
de la corriente convencional (Flujo de Huecos).

Figura #11 Configuración de base común.
De la figura #11, se puede observar que en cada caso IE= IC + IB. También se
nota que la polarización aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se
establezca la corriente en la dirección indicada para cada rama. Es decir,
compárese la dirección de IE con la polaridad o VEE para cada configuración y la
dirección de IC con la polaridad de VCC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres
terminales, se requiere de dosconjuntos de características, uno para los
parámetros de entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El
conjunto de entrada para el amplificador de base común, como se muestra en la
figura 12, relacionará una corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE
) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).
Como se observa en la figura #12, lo que se tiene es la curva equivalentea la
zona directa de un diodo, especialmente cuando la salida está polarizada muy
inversamente, (VCB > 10V).
El conjunto de salida relacionará una corriente de salida (IC ) con un voltaje de
salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE). Esto es,
corresponde a la zona inversa del diodo y por tanto, corresponde a una corriente
básicamente constante sin importar el valor del voltajeinverso. Esto quiere decir,
serán líneas rectas a lo largo del Eje que partirá de un valor aproximado a –0,6V.
Para un transistor de Silicio.
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Figura #12: Curva característica de entrada
b) Configuración de Emisor Común
La configuración de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se
muestra en la figura #13 para los transistores pnp y npn. Se denomina
configuración deemisor común porque el emisor es común tanto a las terminales
de entrada como a las de salida (en este caso, es también común a las terminales
de la base y del colector).

Figura #13
De nuevo se necesitan dos conjuntos de características para describir en forma
completa el comportamiento de la configuración de emisor común: una para la
entrada o circuito de la base y una para la salida o circuitodel colector. Ambas se
muestran en la figura 14.

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Figura 14
Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su dirección de
comente convencional real. Aun cuando la configuración del transistor ha
cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de corrientes desarrolladas
antes para la configuración de base común.
En la configuración de emisor común lascaracterísticas de la salida serán una
gráfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un
rango de valores de la corriente de entrada (IB). Las características de la entrada
son una gráfica de la comente de entrada (IB) versus el voltaje de entrada (VBE)
para un rango de valores del voltaje de salida (VCE). Obsérvese que en las
características de la figura14 la magnitud de IB es...