Conductores

Conductores
Los elementos conductores tienen facilidad para permitir el movimiento de cargas y sus átomos se caracterizan por tener muchos electrones libres y aceptarlos o cederlos con facilidad, por lo tanto son materiales que conducen la electricidad.
Aisladores
Los aisladores son materiales que presentan cierta dificultad al paso de la electricidad y al movimiento de cargas. Tienen mayordificultad para ceder o aceptar electrones. En una u otra medida todo material conduce la electricidad, pero los aisladores lo hacen con mucha mayor dificultad que los elementos conductores.

Semiconductor
Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación quele incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
Elemento | Grupo | Electrones en
la última capa |
Cd | II B | 2 e- |
Al, Ga, B, In | III A | 3 e- |
Si, C, Ge | IV A | 4 e- |
P, As, Sb | V A | 5 e- |
Se, Te, (S) | VI A | 6 e- |
El elemento semiconductor más usado es elsilicio, el segundo el germanio, aunque idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear también el azufre. La característica común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica s²p².
Dopaje(semiconductores)
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Unsemiconductor altamente dopado que actúa más como un conductor que como un semiconductor es llamado degenerado.
El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuandose agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10.000 átomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.

MATERIAL TIPO N
El material tipo N, es un dopante, es decir que se utiliza de manera intencional con
el fin de añadir impurezas a un semiconductor que tiene unapureza demasiado
alta.
El propósito principal de un dopante es cambiar las propiedades eléctricas de un
semiconductor.
A un material semiconductor, dependiendo de la cantidad de átomos dopantes
que se le agreguen, se les puede denominar extrínsecos/ligeros (cuando se añade
un átomo dopante a cada cien millones de átomos del material) o
degenerados/pesados (cuando seañade un átomo dopante a cada diez mil
átomos del material).
Cuando un material semiconductor tiene un dopaje pesado y se utiliza un material
de tipo N, se representa con la nomenclatura N+.
El material tipo N posee átomos de impurezas que permite la aparición de
electrones sin huecos asociados a los mismos.
A este tipo de materiales, se les llama donantes, debido aque brindan electrones.
La valencia de estos es cinco, como el arsénico y fósforo, de tal forma que al ser
añadido al material, éste mantiene la neutralidad eléctrica; un electrón queda
desligado, pero su separación necesita una energía mucho menor que la que se
necesitaría para separar la ligadura de un cristal de silicio.
Tras el proceso, habrá más electrones que huecos en...