Configuraciones

Configuraciones de polarización del FET

Capítulo 6 Polarización del FET

Para definir la variable que se graficará, se selecciona el márcador de posición a la mitad del eje vertical, y se teclea ID(YGS). El rango también se define como en la figura 5.19. Haga clic en cualquier lugar fuera del área gráfica y aparecerá la gráfica.

Debido a que la ecuación de Shockley se grafica confrecuencia en el análisis de de de las redes de JFET, será útil contar con un método tan rápido para obtenerla. Solamente modifique los valores de IDSS y/o YP, y la gráfica nueva se presentará con un solo clic del ratón.

HOJAS DE ESPECIFICACIONES (JFETs)
Aunque el contenido general de las hojas de especificaciones puede variar desde el mínimo necesario hasta una presentación amplia de gráficas ytablas, existen unos cuantos parámetros fundamentales que se proporcionan por todos los fabricantes. Algunos de los más importantes se analizan en los siguientes párrafos. La hoja de especificaciones para el JFET

VALORES NOMINALES MAXIMOS
Valor Nominal | Símbolo | Valor | Unidad |
Voltaje Drenaje-Fuente | VDS | 25 | x Vdc |
Voltaje Drenaje-Compuerta | VDG | 25 | Vdc |
Voltaje inversoCompuerta-Fuente | VGSR | -25 | Vdc |
Corriente de Compuerta | | 10 | mAdc |
Disipación Total del Dispositivo @ TA =25°C | Pd | 310 | mW |
Pérdida de disipación por encima de 25°C | | 2.82 | mW/C |
Rango de Temperatura de la Unión | Tj | 125 | *c |
Rango de Temperatura de almacenamiento del Canal __ | Tsig | -65 a +150 | *c |

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Qa = 25°C a menos que se especifiquelo contrario)
Característica | Símbolo | Mínimo | Típico | Máximo | Unidad |
CARACTERÍSTICAS DE APAGADO |
Voltaje de Ruptura Compuerta-Fuente do = -10 fiAdc, V[>s = 0) | V(BR)GSS | -25 | - | - | Vdc |
Corriente Inversa de la Compuerta <VGS=-15Vdc,VDS = 0)(VGS = -15 Vdc, VDS=0, TA = 100°C) | *GSS | - | - | -1.0-200 | nAdc |
Voltaje de Corte Compuerta Fuente(Vos = 15 Vdc, ID = 10nAdc) 2N5457 | vGS (apagado) | -0.5 | - | -6.0 | Vdc |
Voltaje Compuerta Fuente(Vos = 15 Vdc, ID = 100 /tAdc) 2N5457 | VGS | - | -2.5 | - | Vdc |
CARACTERÍSTICAS DE ENCENDIDO
Corriente de Drenaje con Voltaje Cero en la Compuerta* | | *DSS | | | | mAdc |
(Vds= 15 Vdc, VGS =0) | 2N5457 | | 1.0 | 3.0 | 5.0 | |
CARACTERÍSTICAS DE PEQUEÑA SEÑAL
Admitancia de Transferencia Directa paraFuente Común*(VDS = 15 Vdc, Vgs = 0, f = 1.0 kHz) 2N5457 | |yfs| | 1000 | _ | 5000 | µmhos |
Admitancia de Salida de Fuente Común* (Vds = 15 Vdc, VGS = 0, f- 1.0 kHz) | |yos| | - | 10 | 50 | µmhos |
Capacitancia de Entrada(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 MHz) | Ciss | - | 4.5 | 7.0 | pF |
Capacitancia de Transferencia Inversa (vds= 15 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 MHz) | Crss | - | 1.5 | 3.0 | pF |Pulso de Prueba: Ancho del Pulso <, 630 ms; Ciclo de Trabajo 10%

También es importante notar que el control del incremento se ajusta para una pantalla de cinco incrementos con lo que limita las curvas desplegadas a Vcs = 0, -0.5, -1, -1.5 y -2 V. Si el control del incrementos se elevara a 10,el voltaje por incremento se podría reducir a 250 mV = 0.25 V, y la curva de VGs = -2.25 V se hubierapodido incluir, así como también una curva adicional entre cada incremento de la figura

La curva VGS = -2.25 V hubiera indicado la rapidez con que las curvas se acercan una a la otra para el mismo voltaje de incremento. Por fortuna, es posible estimar el nivel de VP con un alto grado de exactitud al aplicar simplemente la condición que aparece en la tabla

Esto es, cuando ID = IDSS/2,entonces Vgs = 0.3VP. Para las características de la figura 5.23, ID = W2 = 9 mA/2 = 4.5 mA, y como se aprecia en la figura 5.23, el nivel correspondiente de Vcs es de aproximadamente -0.9 V. Al emplear esta información vemos que VP - Vgs/0.3 = -0.9 V/0.3 = -3 V, el cual será nuestra selección para este dispositivo. Con este valor encontramos que en VG5 = -2 V.



RELACIONNES JFET BJT
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