conmutacion entransistores bipolares de potencia

UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE PANAMA
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA
ELECTRONICA DE POTENCIA
LABORATORIO #1
CONMUTACION DE TRANSITORES CON CARGAS RESISTIVAS
Jossue CalvoElias Caballero
Ced: 8-852-181 Ced:8-
Alyssa Degracia Adyanis Rios
Ced: 8-856-170 Ced: 8-
Erasmo Sierra
Ced:8-
Introducción
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones eintensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables. Pero si tenemos en cuenta los efectos deretardo de conmutación, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable, por lo que la potencia mediade pérdidas en el transistor va a ser mayor. Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar ésta, también lo hace el número de veces que se produce el paso de unestado a otro.
Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se haceinstantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton, toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector-base y base-emisor y los tiempos de difusión yrecombinación de los portadores.
En este laboratorio realizaremos la simulación del cambio de corte a saturación del transistor de potencia, visto desde el voltaje emisor-colector.





Procedimiento1- Armamos el circuito de la figura en el simulador y ajustamos el generador de funciones para una salida de señal cuadrada de 5V de amplitud y 5 KHz.
2- Corrimos la simulación y observamos la...