CONSTRUCCI N DEL TRANSISTOR
Páginas: 4 (958 palabras)
Publicado: 15 de septiembre de 2015
CONSTRUCCIÓN DEL TRANSISTOR
Antes de 1950 todo equipo electrónico utilizaba válvulas al vacío, que son bulbos con un brillo tenue, que predominaban en la industria. El calefactor de una válvula alvacío normal consumía un par de watts, por lo que el equipo requería una fuente de alimentación voluminosa que generaba una cantidad considerable de calor, lo cual preocupaba sobremanera a losdiseñadores. El resultado era un equipo anticuado y pesado. En 1951 Shockley inventó el primer transistor de unión, que fue todo un acontecimiento porque significó un gran cambio. El impacto del transistoren la electrónica ha sido enorme, pues además de iniciar la industria multinúllonaria de los semiconductores, ha sido el precursor de otros inventos como son los circuitos integrados, los dispositivosoptoelectrónicos y los microprocesadores. Actualmente, casi todo equipo electrónico utiliza dispositivos semiconductores. Los cambios han sido más notables en la industria de las computadoras.Definición del transistor.
El transistor es un dispositivo semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta una señal de entrada, de tres capas que consiste de dos capas de materialtipo n y una capa tipo p o bien, de dos capas de material tipo p y uno tipo n.
construcción del transistor
El transistor consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p o bien, de dos capasde material tipo p y uno tipo n.
La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, la base ligeramente dopada y el colector solo muy poco dopado, las capas exteriores tienen espesores mucho mayoresque el material tipo p o n al que circundad.
La proporción del espesor total respecto al de la capa central es de 0.150/0.001=150:1. El dopado de la capa central es también mucho menor que el dopadode las capas exteriores, donde casi siempre 10:1 o menos. Este nivel bajo de dopado disminuye la conductividad de este materas al limitar el número de portadores libres.
Para la polarización de...
Antes de 1950 todo equipo electrónico utilizaba válvulas al vacío, que son bulbos con un brillo tenue, que predominaban en la industria. El calefactor de una válvula alvacío normal consumía un par de watts, por lo que el equipo requería una fuente de alimentación voluminosa que generaba una cantidad considerable de calor, lo cual preocupaba sobremanera a losdiseñadores. El resultado era un equipo anticuado y pesado. En 1951 Shockley inventó el primer transistor de unión, que fue todo un acontecimiento porque significó un gran cambio. El impacto del transistoren la electrónica ha sido enorme, pues además de iniciar la industria multinúllonaria de los semiconductores, ha sido el precursor de otros inventos como son los circuitos integrados, los dispositivosoptoelectrónicos y los microprocesadores. Actualmente, casi todo equipo electrónico utiliza dispositivos semiconductores. Los cambios han sido más notables en la industria de las computadoras.Definición del transistor.
El transistor es un dispositivo semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta una señal de entrada, de tres capas que consiste de dos capas de materialtipo n y una capa tipo p o bien, de dos capas de material tipo p y uno tipo n.
construcción del transistor
El transistor consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p o bien, de dos capasde material tipo p y uno tipo n.
La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, la base ligeramente dopada y el colector solo muy poco dopado, las capas exteriores tienen espesores mucho mayoresque el material tipo p o n al que circundad.
La proporción del espesor total respecto al de la capa central es de 0.150/0.001=150:1. El dopado de la capa central es también mucho menor que el dopadode las capas exteriores, donde casi siempre 10:1 o menos. Este nivel bajo de dopado disminuye la conductividad de este materas al limitar el número de portadores libres.
Para la polarización de...
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