Construccion De Un Diodo

INSTITUTO TECNOLOGICO DE CIUDAD JUAREZ

Tarea de investigación
Materia: Electrónica Analógica
Profesor: Ing. Armando Peinado Rentería.
Grupo: J
Clave: 2GE
Equipo No 2 :
Pedro Alberto Jasso Hernández.
Jhonatán Ordaz Duran,
Carlos Antonio Varela Herrera.
Manuel Zambrano.
Roberto Carrillo Ojeda.
Jorge Antonio de la Torre Mena.
Ángel Antonio Martínez.
Juan Pablo Chávez Macías.
JazielIván López Flores.
Andrés Gaxiola.
Jorge Luis Bermúdez Torres.

Fecha de entrega: 14 de Febrero del 2013

1.1CONSTRUCCION DE UN DIODO
Para la construcción de diodos se utilizan materiales
semiconductores, como el Silicio o el Germanio que en estado puro
se denominan semiconductores intrínsecos y se comportan como
resistencias de carbón. Para conseguir los efectos deseados, estossemiconductores se dopan con impurezas obteniéndose así dos tipos
de semiconductores extrínsecos:
· Semiconductores tipo n; Se añaden átomos de valencia 5
(fósforo, arsénico, antimonio) con lo que al combinarse con el silicio queda un
electrón libre por cada átomo pentavalente.
· Semiconductores tipo p; Se añaden átomos de valencia 3 (boro, galio) con lo que al
combinarse con el silicio queda unhueco por cada átomo trivalente que se comporta
como una carga positiva.
La unión de dos semiconductores, uno del tipo p (ánodo) y otro del tipo n (cátodo),
forma un diodo.
La banda blanca impresa indica el lado
del cátodo.
Conexionado:
Polarización directa
Cátodo a + de la pila
Ánodo a – de la pila
Polarización inversa
Cátodo a - de la pila
Ánodo a + de la pila
Una aplicación muyfrecuente del diodo es su uso como rectificador de corriente en
fuentes de alimentación.
Su propiedad de conducir solamente en un sentido, cuando está polarizado
directamente, se utiliza para rectificar señales de corriente alterna.
En la construcción del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un material es semiconductorcomo silicio o germanio excesivamente cargado de partículas negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas.

Cuando se aplica un voltaje de paralización directa (voltaje de corriente directa) la región iónica en la unión se reduce y los portadores negativos en el material tipo n pueden superar labarrera negativa restante iones positivos y continuar su camino hasta el potencial aplicado.

Los diodos prácticos se construyen como una sola pieza de material semiconductor, en la que un lado se contamina con material de tipo de y el otro con material de tipo n.
Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos son tres; germanio, silicio y arsenurio de galio. En general, ensilicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energía que permiten la operación a temperaturas más altas, y los costosde material son mucho menores. El arsenurio de galio es particularmente útil en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. La distancia precisa en el que se produce el cambiode material de tipo p a tipo n en el cristal varía con la técnica defabricación. La característica esencial de la unión pn es que el cambio en la concentración de impurezas se debe producir en una distancia relativamente corta. De otra manera, la unión no se comporta como un diodo.

1.1.1SEMICONDUCTORES CONTAMINADOS P Y N
Están basados en la propiedad de ciertos materiales como el silicio, el germanio, el sulfuro de cadmio y el arseniuro de galio entre otros; y tienen laparticularidad de comportarse indistintamente como conductores o aislantes bajo determinadas condiciones externos o estímulos; de allí que se dice que sus características son dependientes de factores de la naturaleza, como la luz, la temperatura, campos magnéticos, etc.
En electrónica los semiconductores más usados tocados por el hombre son los diodos, transistores, Tiristores, y los...