Construccion del diodo
Páginas: 4 (997 palabras)
Publicado: 1 de marzo de 2012
Construcción del diodo
En la construcción del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un material es semiconductor comosilicio o germanio excesivamente cargado de partículas negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas.Cuando se aplica un voltaje de paralización directa (voltaje de corriente directa) la región iónica en la unión se reduce y los portadores negativos en el material tipo n pueden superar la barreranegativa restante iones positivos y continuar su camino hasta el potencial aplicado.
Los diodos prácticos se construyen como una sola pieza de material semiconductor, en la que un lado secontamina con material de tipo de y el otro con material de tipo n.
Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos son tres; germanio, silicio y arsenurio de galio. En general, en silicioha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energía que permiten la operación a temperaturas más altas, y los costosde material son mucho menores. El arsenurio de galio esparticularmente útil en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. La distancia precisa en el que se produce el cambiode material de tipo p a tipo n en el cristal varía con la técnica defabricación. La característica esencial de la unión pn es que el cambio en la concentración de impurezas se debe producir en una distancia relativamente corta. De otra manera, la unión no se comporta como undiodo.
Operación de un diodo
El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones)
Cuando una tensiónpositiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a través del material P mas allá de los límites del semiconductor....
En la construcción del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un material es semiconductor comosilicio o germanio excesivamente cargado de partículas negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas.Cuando se aplica un voltaje de paralización directa (voltaje de corriente directa) la región iónica en la unión se reduce y los portadores negativos en el material tipo n pueden superar la barreranegativa restante iones positivos y continuar su camino hasta el potencial aplicado.
Los diodos prácticos se construyen como una sola pieza de material semiconductor, en la que un lado secontamina con material de tipo de y el otro con material de tipo n.
Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos son tres; germanio, silicio y arsenurio de galio. En general, en silicioha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energía que permiten la operación a temperaturas más altas, y los costosde material son mucho menores. El arsenurio de galio esparticularmente útil en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. La distancia precisa en el que se produce el cambiode material de tipo p a tipo n en el cristal varía con la técnica defabricación. La característica esencial de la unión pn es que el cambio en la concentración de impurezas se debe producir en una distancia relativamente corta. De otra manera, la unión no se comporta como undiodo.
Operación de un diodo
El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones)
Cuando una tensiónpositiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a través del material P mas allá de los límites del semiconductor....
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