conversiones

TIPOS DE MEMORIA


















Memorias de acceso aleatorio RAM
Las memorias de acceso aleatorio son conocidas como memorias RAM de las siglas en ingles Random Access Memory.
Se caracterizan por ser memorias de lectura-escritura y contienen un conjunto de variables de dirección que permiten seleccionar cualquier dirección de memoria de forma directa e independiente de laposición en la que se encuentre.
Estas memorias son volátiles, es decir, que se pierde la información cuando no hay energía y se clasifican en dos categorías básicas: la RAM estática y la RAM dinámica.

MEMORIA RAM ESTÁTICA
Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores MOSFET,aunque también existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores bipolares.

La celda se activa mediante un nivel activo a la entrada superior y los datos se cargan o se leen a través de las líneas laterales.

MEMORIA RAM DINÁMICA
Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dynamic Random Access Memory), a diferencia de la memoria estática se compone de celdas de memorias construidascon condensadores. Las celdas de memoria son de fabricación más sencillas en comparación a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias de gran capacidad.

La operación de la celda es similar a la de un interruptor, cuando el estado en la fila se encuentra en alto, el transistor entra en saturación y el dato en el bus presente en el bus interno de la memoria (columna) sealmacena en el condensador, durante una operación de escritura y se extrae una operación de lectura. El inconveniente que tiene este tipo de memorias consiste en que hay que recargar la información almacenada en las celdas, por lo cual estas celdas requieren de circuitería adicional para cumplir esta función. A esta función especial se le llama de Refresco.

Ventajas y desventajas de los dossistemas de memoria
Memoria
Ventajas
desventajas
SRAM
La velocidad de acceso es rápida.
Para retener los datos solo necesita estar energizada.
Son más fáciles de diseñar.
Menor capacidad, debido a que cada celda de almacenamiento requiere más transistores.
Mayor costo por bit.
Mayor consumo de Potencia.
DRAM
Mayor densidad y capacidad.
Menor costo por bit.
Menor consumo de Potencia.
Lavelocidad de acceso es baja.
Necesita recarga de la información almacenada para retenerla (refresco).
Diseño complejo.

PARÁMETROS DE LAS MEMORIAS
El parámetro básico de una memoria es su capacidad de almacenamiento, la cual corresponde al total de unidades que puede almacenar.

En la actualidad se consiguen memorias en tamaños del orden de Megabytes.

El tiempo de acceso es otroparámetro importante en las memorias. Este corresponde al tiempo que tarda la memoria en acceder a la información almacenada en una dirección. Generalmente este tiempo se designan como TACC en las fichas técnicas de estos dispositivos.
Memoria
Tiempo de acceso
Núcleo de Ferrita
0.3 - 1.0 us
Cinta Magnética
5 ms – 1 s
Disco Magnético
10 ms – 50 ms
CD ROM
200 ms – 400 ms
Memorias Integradas MOS2 ns – 300 ns
Memorias Integradas Bipolares
0.5 ns – 30 ns

Una memoria requiere líneas de dirección para identificar un registro de memoria, una señal de Chip select (CS) para habilitar el chip y señales de control para leer o escribir en los registros de memoria.



Memoria de solo lectura ROM
Las memorias de solo lectura son conocidas como memorias ROM (de las siglas en ingles ReadOnly Memory). Se caracterizan por ser memorias de lectura y contienen celdas de memoria no volátiles, es decir, que la información almacenada se conserva sin necesidad de energía. Este tipo de memoria se emplea para almacenar información de forma permanente o información que no cambie con mucha frecuencia.

Se trata de una memoria que usan los equipos electrónicos, como es el caso de las...