copa

P. P. Ing. Electrónica
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
(IV semestre)
Aplicaciones con el transistor bipolar BJT
Experimento 5:
Grupo:
1 2 3 4 5 6 Horario:
Fecha:
/
/ 2014
CódigoIntegrantes: ( Apellidos / Nombre )
Firma
1.
2.
3.
1. Objetivos:
 Determinar el punto de operación y la región de trabajo de un transistor.
 Comprobar el funcionamiento de algunos circuitos deaplicación del transistor de unión bipolar de acuerdo a sus regiones de
trabajo: activa, corte y saturación
2. Estudio previo: (Estudiar los siguientes temas del texto de la asignatura))
POLARIZACION DEL TRANSISTOR
 CONFIGURACIÓNES DEL TRANSISTOR: BASE COMUN, COLECTOR COMUN Y EMISOR COMUN
 REGIONES DE TRABAJO DEL TRANSISTOR
 ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR


Realizar lasimulación electrónica de cada uno de los circuitos (Fig.1 al 7) con
transistores y presentarlos antes de iniciar la presente práctica.

3. Equipo y Materiales:
 1 Osciloscopio con sus puntas de prueba(OSC)
 1 Generador de funciones con sus puntas terminales (GF)
 3 Diodos de unión bipolar 1 N4004 o equivalente (D1 ,D2 Y D3)
 1 Resistencia de 330 Ohms (R330), 1 Resistencia de 470 Ohms (R470),1 Resistencia de 1 KOhm (R 1 K),
 1 Resistencia de 2.2 KOhm (R2.2K), 1 Resistencia de 8.2 KOhm (R8.2K), 1 Resistencia de 82 Kohm,
 1 Resistencia de 22 KOhm (R22K), 1 Resistencia de 5.6 Kohm, 1Resistencia de 1.2 KOhm, Resistencias de 10 KOhm
 2 Capacitores de 10 uF (C10)
 2 Transistores de unión bipolar npn 2N2222 o equivalente (Q1,Q2). Imprimir
 1 Diodo emisor de luz (LED)
4.Actividades:
Parte 1. Determinación del punto de operación y de la región de trabajo

su hoja de datos

R1
2.2kohm

Q1

V1

2N2222A

5V

R2
10kohm

Figura 1

R4
10kohm

R3

82kohmR7
820ohm

Q2

V2

Q3

V3

2N2222A

5V

2N2222A

12V

R5
330ohm

Figura 2

i.
ii.
iii.

R6

10kohm

R9
22kohm

R8
220ohm

Figura 3

Arme el circuito de la...