Cotpas
Páginas: 2 (305 palabras)
Publicado: 4 de junio de 2012
Similitud entre el diodo y un transistor BJT
* Para mi opinión consideraría que ambos son uniones semiconductoras, además el transistor bipolar es el más conocido, parte de que ambos puedenser de (germanio o silicio).
* EL DIODO
es el dispositivo más sencillo construido con una unión pn. Tiene dos terminales, uno conectado a la unión p y otro conectado a la unión n, y unencapsulado que lo protege. Su comportamiento es idéntico al de una unión pn. .es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección. De forma simplificada, la curvacaracterística de un diodo (I-V) consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuitocerrado con muy pequeña resistencia eléctrica.
* TRANSISTOR BJT.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolareses un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.
* EL SILICIO.
es un elemento abundante en la naturaleza, y su coste es bajo, aunque resulta encarecidopor el proceso de purificación al que se debe ser sometido. Otros semiconductores son elementos compuestos, como el arseniuro de galio, el fosfuro de indio o el sulfuro de plomo.
* GERMANIO.
Es un metaloide sólido duro, cristalino, de color blanco grisáceo lustroso, quebradizo, que conserva el brillo a temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina que eldiamante y resiste a los ácidos y álcalis.Forma gran número de compuestos organometálicos y es un importante material semiconductor utilizado en transistores y fotodetectores. A diferencia de la mayoríade semiconductores, el germanio tiene una pequeña banda prohibida (band gap) por lo que responde de forma eficaz a la radiación infrarroja y puede usarse en amplificadores de baja intensidad.
* Para mi opinión consideraría que ambos son uniones semiconductoras, además el transistor bipolar es el más conocido, parte de que ambos puedenser de (germanio o silicio).
* EL DIODO
es el dispositivo más sencillo construido con una unión pn. Tiene dos terminales, uno conectado a la unión p y otro conectado a la unión n, y unencapsulado que lo protege. Su comportamiento es idéntico al de una unión pn. .es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección. De forma simplificada, la curvacaracterística de un diodo (I-V) consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuitocerrado con muy pequeña resistencia eléctrica.
* TRANSISTOR BJT.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolareses un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.
* EL SILICIO.
es un elemento abundante en la naturaleza, y su coste es bajo, aunque resulta encarecidopor el proceso de purificación al que se debe ser sometido. Otros semiconductores son elementos compuestos, como el arseniuro de galio, el fosfuro de indio o el sulfuro de plomo.
* GERMANIO.
Es un metaloide sólido duro, cristalino, de color blanco grisáceo lustroso, quebradizo, que conserva el brillo a temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina que eldiamante y resiste a los ácidos y álcalis.Forma gran número de compuestos organometálicos y es un importante material semiconductor utilizado en transistores y fotodetectores. A diferencia de la mayoríade semiconductores, el germanio tiene una pequeña banda prohibida (band gap) por lo que responde de forma eficaz a la radiación infrarroja y puede usarse en amplificadores de baja intensidad.
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