Cristalografia

Dan origen definido a los planos cristalográficos
1a, 1/2b, 2c = (2 1 4)

Sinterizacion: tratamiento a alta temp, partículas se unen reduciendo espacios entre sí mismas
Soldadura: se utilizapara unir materiales, al llenar todas las vacantes, al contacto atomo-atomo
Crecimiento de grano: desplazamiento de los bordes de granos, creciendo a costa de otros
Procesos en base a difusiónPermite calcular la concentración de una de las especies en la difusión cerca de la superficie del material en función del tiempo; los flujos y la concentración varían con el tiempo y la distancia
Segundaley de Fick
Primera ley de Fick
Perfil de descomposición
J1: velocidad molar de difusión por unidad de área.
D12: difusividad del componente 1 en el componente 2.
C1: concentración molar delcomponente 1.
Z: distancia en la dirección de la difusión

FACTORES QUE MODIFICAN EL FLUJO
Tienden que ser iguales y de signo contrario, componentes 1 y 2 se difunden en sentidos contrarios.Misma fórmula del componente 2
-Disminución de gradiente
-gradiente constante
-aumento de coeficiente de difusión (D)
-energía de ionización baja

El flujo es proporcional al gradiente deconcentración; estará determinada por la velocidad de difusión del componente 1 y el comportamiento del componente 2.
Velocidad de difusión
Difusión intersticial: átomos entrantes son más pequeños quelos existentes en la red cristalina.
Difusión por vacancia: un átomo puede abandonar su sitio en la red para llenar una vacancia cercana, creando una sucesión de posiciones
La probabilidad deintercambiar posiciones depende de la temperatura según la ecuación de Arrhenius: tasa de movimiento = C0 e-Q/RT

- Gota de tinta en vaso
-olores que sentimos
-también sólidos
De manera predecible,eliminando diferencias de concentración, produciendo composiciones uniformes y homogéneas
Movimiento de átomos, iones o moléculas, dentro de un material.
Proceso irreversible, donde partículas...