Cuáles son los factores más relevantes del Rendimiento Escolar en los alumnos de Posgrado en Derecho de la Universidad Juárez del Estado de Durango?



Resumen (El resumen tendrá una extensión de 150-200 palabras. Éste deberá incluir: problema de investigación, objetivos, hipótesis (si hay), exposición concreta de la metodología (cualitativa o cuantitativa) y conclusiones relevantes. Redactar en pasado y en forma impersonal).

En este artículo se trata el tema concerniente a los mecanismos de falla en circuitos integrados, se proporcionanmodelos analíticos para su análisis, recomendaciones aplicables en los distintos niveles de diseño, y se resalta la importancia de incluir protecciones ESD y no omitir los efectos del ruido por substrato. El panorama que se presenta persigue que el diseñador incorpore –en su metodología de diseño- las consideraciones aquí expuestas y que con ello se minimicen los riesgos de falla inherentes a lafabricación y a los métodos usados para la caracterización.

Conceptos clave— (Las palabras clave serán de 3 a 6 variables)Electromigración, ruido por substrato, protección ESD, RF, circuitos integrados, tecnología CMOS.

I. Introducción
(Detallar el problema planteado a través de las preguntas de investigación y los por qués de la investigación (justificación); además se indica el fundamentoteórico y el estado de la cuestión que sustenta el problema. Redactar en presente).
EL desempeño de un Circuito Integrado (CI) no solo depende de lo avanzado y/o novedoso que sea la metodología utilizada en su diseño. Otros factores como robustez y fiabilidad también son importantes al escoger entre un diseño u otro. Es por ello que esta contribución aborda las condiciones más importantes en lasque los CIs pueden presentar un desempeño pobre o fallar después de iniciado su funcionamiento (Hernández, et. al., 1998: 50). Se abrodarán aquellas condiciones que ocurren en el proceso de fabricación (como el Efecto Antena y por Contaminación , aquellos que se pueden presentar durante el funcionamiento (como el ruido por la electromigración y ruido por substrato, y aquellos que se manifiestancuando se exigen valores de corriente o voltaje superirores a los usados en la tecnología estándar CMOS (como la inyección de portadores calientes y la formación de canales parásitos ).
Por otro lado, la mayoría de las fallas en CIs se deben a eventos EOS/ESD (del inglés Electrical Overstress/ Electrostatic Discharge) durante el proceso de fabricación . Estos eventos son generados por lamanipulación de los operadores, por descargas generadas causadas por las máquinas involucradas en los procesos, inducidos por otros circuitos del CI, etc. Los tipos de fallas debido a EOS/ESD pueden clasificarse en dos tipos: falla catastrófica y falla intermitente (del inglés walking wounded). La primera ocurre en el 10% de veces y significa la destrucción del CI, mientras que la segunda causa de falla ocupael porcentaje restante. En este tipo de falla el dispositivo sigue en funcionamiento pero presenta un comportamiento errático. Por lo anterior, el objetivo de esta contribución es presentar la protección ESD y mostrar algunos de los aspectos más interesantes como los modelos de prueba de la descarga eléctrostática, los tipos y clasificaciones de los dispositivos de protección ESD, la ventana dediseño ESD, los modelos analíticos del dominio térmico de las protecciones, y finalmente su importancia en CIs de Radio Frecuencia (RF).
II. Método
(Tratar de responder en este apartado a la pregunta: cómo se obtuvo la información: sujetos, muestra y procedimientos de aplicación de los instrumentos de recogida de información. En otras palabras, el cómo de la planificación. Redactar en pasado)A. Electromigración.
Este fenómeno ocurre en líneas de metal que conducen altas densidades de corriente, que dadas las dimensiones de los CIs actuales es un aspecto a tomar en cuenta. El Aluminio presenta electromigración desde densidades de corriente de 5x105 A/cm2, por lo que actualmente se utiliza una aleación de Aluminio y Cobre; esta aleación soporta de 5 a 10 veces más la capacidad del...