Cuadro de transistores
Páginas: 3 (647 palabras)
Publicado: 8 de diciembre de 2011
Transistores en Conmutación
BJT: Transistor de union bipolar
Este Transistor Consiste en 2 uniones P N muy cercanas entre si, que permite controlar el paso de la corriente atravez de susterminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad engran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
MOSFET: Tansistor De Efecto De Campo Metal OxidSemiconductor
Es el transistor másutilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET. Están basados en el efecto de campo, suconducción o no conducción depende de la existencia de un campo eléctrico transversal a un canal de silicio en el que se produce la conducción atrayendo o repeliendo a los portadores.
IGBT - Transistorbipolar puerta aislada
El Transistor Bipolar De Puerta Aislada (IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado encircuitos de electrónica de potencia.Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacióndel transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.
Concepto:
Estructura:
El transistor deunion bipolar esta formado por 2 uniones P N en un solo cristal semiconductor, separado por una region muy estrecha. De esta manera se forman los 3 pines : Emisor: se diferencia de las otras demas porqueesta fuertemente dopada. Base: la intermedia, muy estrecha que separa al emisor del colector. Colector: de extensiòn mucho mayor.
Las áreas de difusión se denominan Fuente (Source) y Consiste en...
BJT: Transistor de union bipolar
Este Transistor Consiste en 2 uniones P N muy cercanas entre si, que permite controlar el paso de la corriente atravez de susterminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad engran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
MOSFET: Tansistor De Efecto De Campo Metal OxidSemiconductor
Es el transistor másutilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET. Están basados en el efecto de campo, suconducción o no conducción depende de la existencia de un campo eléctrico transversal a un canal de silicio en el que se produce la conducción atrayendo o repeliendo a los portadores.
IGBT - Transistorbipolar puerta aislada
El Transistor Bipolar De Puerta Aislada (IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado encircuitos de electrónica de potencia.Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacióndel transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.
Concepto:
Estructura:
El transistor deunion bipolar esta formado por 2 uniones P N en un solo cristal semiconductor, separado por una region muy estrecha. De esta manera se forman los 3 pines : Emisor: se diferencia de las otras demas porqueesta fuertemente dopada. Base: la intermedia, muy estrecha que separa al emisor del colector. Colector: de extensiòn mucho mayor.
Las áreas de difusión se denominan Fuente (Source) y Consiste en...
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