Cuestionario De Electronica

BANCO DE PREGUNTAS
1. LA MINIATURIZACIÓN ESTÁ DADA POR TRES FACTORES:
a. calidad de material
b. técnicas de diseño
c. limites de fabricación
2. SEMICONDUCTORES MÁS UTILIZADOS:
a. Silicio
b. Germanio
c. Arseniuro Galio
3. ESCRIBA UNA CARACTERÍSTICA DEL GaAs
Estable ante los cambios de temperatura.
4. ¿QUÉ SIGNIFICA MATERIAL INTRÍNSECO?Cualquier material semiconductor que es sometido a un proceso de purificación o refinamiento.
5. EL ENLACE DEL MATERIAL EXTRÍNSECO TIPO N ESTÁ FORMADO POR:
d. BORO, GALIO, INDIO
e. MATERIALES PENTAVALENTES
f. MATERIAL CASI PURO
6. AL MATERIAL EXTRÍNSECO TIPO P SE LE LLAMA DONADOR O ACEPTOR Y POR QUÉ?
Aceptor, porque tiene un hueco en su estructura que lo puedecompartir.
7. INDICAR LOS VOLTAJES DE ACTIVACIÓN (UMBRAL)
g. Ge: 0,3 V
h. Si: 0,7 V
i. GaAs: 1,2 V
8. DIBUJAR EL DIODO RECTIFICADOR EN POLARIZACIÓN INVERSA (CONDUCE O NO).
NO CONDUCE

9. DIBUJAR EL CIRCUITO DEL DIODO ZENER Y EL SENTIDO DE LA CORRIENTE EN POLARIZACIÓN DIRECTA

10. REALICE LOS SIGUIENTES EJERCICIOS
VL=VZ=12V
IL= VL RL=12770=15,58 mAIS= VS- VZ RS=28-12400=40 mA
IZ= IS- IL=24,42mA
11. ESCRIBA EL SIGNIFICADO DE LOS TRES TERMINALES DEL TRANSISTOR NPN.
j. Colector
k. base
l. emisor
12. ¿QUÉ CARACTERIZA A UN SEMICONDUCTOR?
m. Conduce en una sola dirección
n. Comparte las características de un buen conductor y un aislante
13. ESCRIBA UNA CARACTERÍSTICA DELSi.
Es el elemento más abundante en la tierra, ulilizado en la transmisión de radio frecuencia.
14. ¿A QUÉ LLAMAMOS DOPADO?
Es la capacidad de cambiar las características mediante la unión de materiales donadores o aceptores.
15. ¿POR QUÉ SE LE LLAMA DONADOR AL MATERIAL EXTRÍNSECO TIPO N?
Porque al material base se le suma Arsenio, antimonio o fósforo para cambiar sus propiedadesdándonos mayor conductividad y teniendo un electrón más en la capa de valencia.
16. EN EL MATERIAL TIPO N CUALES SON LOS PORTADORES MAYORITARIOS Y CUALES SON LOS MINORITARIOS
Mayoritarios: electrones
Minoritarios: huecos
17. EN EL MATERIAL TIPO P CUALES SON LOS PORTADORES MAYORITARIOS Y CUALES SON LOS MINORITARIOS
Mayoritarios: huecos
Minoritarios: electrones
18. DIBUJE LA POLARIZACIÓNDIRECTA DEL DIODO RECTIFICADOR (CONDUCE O NO).


19. DIBUJE EL SÍMBOLO DEL DIODO ZENER EN CONDUCCIÓN

20. CALCULAR Vo. (1P)

B1=IR1+0,7+1,2+IR2
I=B1-0,7-1,2R1+R2=3,82 mA
VO=Ix R2=11,42V
21. CALCULAR LAS INTENSIDADES QUE ATRAVIESAN EL CIRCUITO Y Vo . (1P)

B1=I1R1+1,2
I1=17-1,21,5K=10,53mA

I2=1,22K=0,6mAVo=1,2V
22. EVALUAR AL DIODO COMO RECTIFICADOR

Vp=2 Vrms=2x14=19,79V
Vcd=Vp-Vkπ=19,79-1,2π=5,9V
I=5,92,2K2,68mA

23. CALCULAR Vcd, Icd. IDEAL. (1P)

Vp=2 Vrms=2x18=25,45V
Vcd=2Vpπ=2x 25,45Vπ=16,20V
I=16,201K=16,20mA

24. EL BJT ES:
a. Transistor de unión unipolar
b. La unión de dos diodos polarizados directamente
c. Fabricado con silicio intrínsecod. Todas las anteriores
e. Ninguna de las anteriores.
25. El transistor BJT:
a. Tiene el emisor ligeramente dopado.
b. Realiza el movimiento de electrones por medio de huecos y electrones.
c. Posee un colector con poca resistencia.
d. Actúa solo como amplificador.
e. Ninguna de las anteriores
VERDADERO O FALSO:
26. Para el transistor BJT, el emisor estápoco dopado. (___F____)
27. La corriente que circula a través de la base del transistor BJT está en amperios. (___F____)
28. El transistor BJT en la región de saturación, VBE=0,3 0,7 1,2. (___V____)
COMPLETAR: (1P)
29. El sustrato del transistor JFET tipo P es el material tipo _P_____ y el sustrato del...