curvas jfet matlab

CURVAS DEL TRANSISISTOR JFET
Integrante 1 (Esteban Guevara)
e-mail: integrante1@institución
Integrante 2 (Cristian Escudero)
e-mail: integrante2@institución

OBJETIVOS.
OBJETIVO GENERAL:


Dibujar las curvas características de un
transistor de efecto de campo JFET

OBJETIVOS ESPECIFICOS:




Determinar el trabajo de un transistor
JFET.
Interpretar las ecuaciones que rigenlas
curvas de trabajo.
Graficar las curvas características.

RESUMEN:
JFET

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en
español transistor de efecto de campo de juntura
o unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un
circuito que, según unos valores eléctricos de
entrada, reacciona dando unos valores de salida.
En el caso de los JFET, al ser transistores de
efecto de campoeléctrico, estos valores de
entrada son las tensiones eléctricas, en concreto
la tensión entre los terminales S (fuente) y G
(puerta), VGS. Según este valor, la salida del

transistor presentará una curva característica que
se simplifica definiendo en ella tres zonas con
ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.
Físicamente, un JFET de los denominados "canal
P" está formado por unapastilla de
semiconductor tipo P en cuyos extremos se
sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente)
flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N
en las que se conectan dos terminales conectados
entre sí (puerta). Al aplicar una tensión positiva
VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su
alrededor sendas zonas en las que el paso de
electrones (corriente ID) queda cortado,llamadas
zonas de exclusión. Cuando esta VGS sobrepasa
un valor determinado, las zonas de exclusión se
extienden hasta tal punto que el paso de
electrones ID entre fuente y drenador queda
completamente cortado. A ese valor de VGS se le
denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y
n se invierten, y las VGS y Vp son negativas,
cortándose la corriente para tensiones menores
que Vp.
Así, segúnel valor de VGS se definen dos
primeras zonas; una activa para tensiones
negativas mayores que Vp (puesto que Vp es
también negativa) y una zona de corte para
tensiones menores que Vp. En la zona activa, al
permitirse el paso de corriente, el transistor dará
una salida en el circuito que viene definida por la
propia ID y la tensión entre el drenador y la
fuente VDS. A la gráfica oecuación que relaciona
estás dos variables se le denomina ecuación de
salida, y en ella es donde se distinguen las dos
zonas de funcionamiento de activa: óhmica y
saturación.

Ecuaciones del transistor JFET

MATLAB (abreviatura de MATrix LABoratory,
"laboratorio de matrices") es una
herramienta de software matemático que
ofrece un entorno de desarrollo integrado
(IDE) con un lenguaje deprogramación
propio (lenguaje M). Está disponible para las
plataformas Unix, Windows y Mac OS X.

Gráfica de entrada y de salida de un
transistor JFET canal n. Las correspondientes
al canal p son el reflejo horizontal de éstas.
Mediante la gráfica de entrada del transistor
se pueden deducir las expresiones analíticas
que permiten analizar matemáticamente el
funcionamiento de este. Así,existen
diferentes expresiones para las distintas
zonas de funcionamiento.
Para |VGS| < |Vp| (zona activa), la curva de
valores límite de ID viene dada por la
expresión:

Siendo la IDSS la ID de saturación que
atraviesa el transistor para VGS = 0, la cual
viene dada por la expresión:

Entre sus prestaciones básicas se hallan: la
manipulación de matrices, la representación
de datos yfunciones, la implementación de
algoritmos, la creación de interfaces de
usuario (GUI) y la comunicación con
programas en otros lenguajes y con otros
dispositivos hardware. El paquete MATLAB
dispone de dos herramientas adicionales que
expanden sus prestaciones, a saber, Simulink
(plataforma de simulación multidominio) y
GUIDE (editor de interfaces de usuario - GUI).
Además, se pueden ampliar...