Cvd Chemical Vapor Deposition

Kevin Alfonso Aldana
Andrés Barbutín Díaz
Juan José López López
Juan Manuel Morales Gómez

CVD (CHEMICAL VAPOR
DEPOSITION)
CIENCIA DE LOS MATERIALES
LAURA RAMOS R.

PROCESOS DE DEPOSICIÓNA FASE VAPOR:


Tienen como objetivo depositar sobre un sustrato una
película delgada de recubrimiento a partir de vapores.

APLICACIONES:






Piezas de microelectrónicaContactos óhmicos
Barreras de difusión
Aislamiento
Aplicaciones tribologías
resistentes al desgaste



Aplicaciones de resistencia a
la corrosión

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD):
Deposición enfase vapor por vía química es el
proceso en el que productos reaccionantes en fase
vapor se conducen a una cámara donde por medio
de calor o del plasma reaccionan, se activan y se
deposita en elsustrato.
 Este proceso muestra alta versatilidad en los
materiales que depositan y alto grado optimas
características del depósito
 Las películas son muy uniformes, de baja
porosidad y tomanformas complejas


PROCESOS ACTIVADOS POR CALOR:


Las reacciones químicas tienen lugar cuando
alcanzan cierto nivel de energía, este nivel de
energía se produce cuando se calienta elsustrato. Hay 2 formas de hacerlo:
Reactor Paredes calientes -> ideal para
reacciones exotérmicas
Reactor de paredes frías -> ideal para
reacciones endotérmicas

TIPOS DE REACCIONES ACTIVADAS PORCALOR:
1.

Descomposicion térmica, pirólisis, como es el
caso de:
W(CO)₆₍g₎
W(S) + 6CO (g)

2.

Reducción por medio de dos componentes:
2SiCl4(g) + 2H2(g)
Si(S) + 4HCl(g)

3.

Reaccionesde desplazamiento:
Zn(g) + H2S(g)
ZnS(s) + H2(g)

PROCESOS ACTIVADOS POR PLASMA


Este proceso se define como en el que los
constituyentes en fase vapor reaccionan para
formar una películasolida cuando son activados
por una descargan de plasma, los gases son
disociados para generar reactivos, estos reactivos
alcanzan la superficie y reaccionan con otros
gases para alimentar los...