danivb4

Relació V-I

1

ESTUDI DE LA RELACIÓ V ‐ I 

Objectius 
L’estudi de la relació entre la diferència de potencial V aplicada entre els extrems de diferents
components elèctrics (resistència idíode) i la intensitat I que hi circula.

Material
•
•
•
•

Panel de muntatge.
Joc de cables.
Font d’alimentació de corrent CC i dos multímetres digitals.
Dues resistències i un díode.Fonament teòric 
Quan connectem els extrems d’una resistència (R) a una font de tensió es comprova que la
relació que hi ha entre la diferència de potencial (V) entre els extrems d’aquesta i laintensitat
(I) que hi circula és lineal:
V=RI
Aquesta relació és l’anomenada llei d’ohm, que es compleix per qualsevol material conductor.

En canvi, pels materials semiconductors la relació entre latensió i la intensitat és exponencial.
Un exemple de component fet amb aquest tipus de material és el díode.
A diferència de la resistència, el díode té una polaritat definida: un dels seus terminalss’anomena càtode (N) i l’altre ànode (P).

Quan apliquem una tensió positiva creixent entre P i N (és a dir, hi ha més potencial en P que
en N) el díode no condueix corrent mentre que aquestatensió no arribi a un cert valor.
S’anomena tensió llindar Vγ a la tensió a partir de la qual el corrent augmenta molt ràpidament
(es dispara), mentre que la tensió es manté pràcticament en aquest valorVγ. Com a valor de Vγ
s’acostuma a agafar el valor de l’abscissa (eix V) per on talla l’asímptota a la gràfica I(V) per a
valors creixents de I.
Si pel contrari la tensió aplicada és negativa (méspotencial en N que en P), el corrent que hi
circula és molt petit (de l’ordre de 1 μA) i s’anomena corrent invers de saturació: Is.

D:\LABORATO\LAB(Sfeina)\Relacio V-I\Relació_V_I_08T.docRelació V-I

2

Mètode operatiu 

Resistència
1.- Munteu el circuit de la figura. La resistència incògnita R està identificada amb una etiqueta
blanca, i Rs és una resistència de seguretat que...